ARM指令详解：内存访问与多字节存取

"这篇资源主要介绍了ARM架构处理器中的一些常用指令，包括内存访问指令和多字节存取指令，这些都是编程和系统级操作中的基础。" 在ARM指令集中，内存访问指令是进行数据读写的核心操作。LDR（Load Register）指令用于从内存中加载数据到寄存器，而STR（Store Register）指令则将寄存器中的数据存储到内存中。这两个指令的语法结构灵活，支持不同的寻址方式，例如使用偏移量或者通过指针寄存器加上偏移来访问内存地址。 LDR和STR指令的基本形式如下： - LDR{cond}{B}{T}Rd,[Rn] - STR{cond}{B}{T}Rd,[Rn] 其中，`cond`表示条件执行，`B`表示字节操作，`T`表示用户指令后缀，`Rd`是目标寄存器，`Rn`是基址寄存器，`FlexOffset`是偏移量。例如，`LDR R0, [R1]`将`R1`指向的内存位置的数据加载到`R0`中。 对于`label`的使用，它用于标识代码中的特定位置，可以作为地址引用。例如，通过`ldr R1, label1`，我们可以将`label1`所代表的地址赋值给`R1`，这样`R1`就可以用作指向某个变量的指针。 `FlexOffset`允许我们指定相对于基址寄存器的偏移量，它可以是立即数、寄存器或简单表达式，如`#4`、`R2`或`R2+R3`。这在处理动态地址时非常有用。 此外，多字节存取指令LDM（Load Multiple）和STM（Store Multiple）用于一次加载或存储多个寄存器的数据，通常在栈操作或函数调用中使用。例如，`LDM FD Rn!, {reglist}`会从内存中按顺序加载`reglist`中的寄存器，并在完成后更新`Rn`的值，`FD`表示栈指针在高位，压栈后指针减小，这是典型的栈生长方向。 在异常处理程序中，LDM和STM指令经常用于保存和恢复处理器的状态。例如，`sub LR, LR, #4`用于计算返回地址，然后`STMFD SP!, {R0-R12,LR}`会将这些寄存器的值压入栈中，保存现场。 理解和熟练运用这些基本的ARM指令对于编写高效且优化的ARM平台代码至关重要，它们构成了ARM体系结构中数据交互和流程控制的基础。