SSM6L35FU-VB: 20V N/P沟道SC70-6封装高效MOSFET

SSM6L35FU-VB是一种N+P沟道的SC70-6封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），特别适用于便携式设备中的负载开关应用。该器件由Trench FET®系列的功率MOSFET制成，具有以下主要特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，注重绿色制造。 2. **性能指标**： - N-Channel： - 驱动电压VGS范围宽，可在4.5V、2.5V和1.8V时提供不同的导通电阻（RDS(on)）：0.090Ω、0.110Ω和0.130Ω。 - 在25°C下，持续电流ID最高可达3.28A（TJ=150°C）。 - P-Channel： - 在-4.5V、-2.5V和-1.8V的VGS下，RDS(on)分别为0.155Ω、0.190Ω和0.220Ω。 - 在25°C下，最大脉冲电流IDM为9.5A（TJ=150°C）。 3. **封装和散热**：采用热增强型SC-70封装，旨在提高散热效率，适合高密度应用。 4. **快速开关**：由于其设计特性，SSM6L35FU-VB在开关速度上表现出色，有助于降低电路响应时间。 5. **合规性**：符合RoHS指令2002/95/EC，确保了电子产品的环境友好和安全标准。 6. **应用领域**：特别适用于对功率管理和开关效率有高要求的便携式设备，如移动电源、无线充电器等。 7. **安装方式**：N-Channel和P-Channel的表面安装版本，便于集成到1"x1" FR4板上。 8. **极限参数**： - 最大集电极-源极电压VDS（N-Channel: +20V, P-Channel: -20V）。 - 电源损耗（PD）在不同温度下有限制，例如25°C时N-Channel为1.24W，P-Channel为1.17W。 在使用时，请注意操作条件下的温度限制和工作寿命，以及在超过规定的持续状态和短路脉冲条件下的安全工作范围。对于特定应用，确保充分了解并满足这些参数的要求，以确保组件的稳定运行和延长使用寿命。