序进应力加速试验法：快速评估半导体器件寿命

"基于序进应力加速试验评价器件寿命的方法 (2007年) - 北京工业大学学报" 本文研究的是半导体器件寿命评估的一种创新方法，即基于序进应力加速寿命试验。这种方法旨在快速确定半导体器件的寿命，通过在不同温度下进行实验，收集数据，然后建立理论模型来分析器件的失效机制。文章以3CG120型号的硅PNP三极管作为研究样本，在175至345℃的范围内进行试验，提取其失效敏感参数，如hFE的退化量与温度的关系。 在实验过程中，作者观察到器件参数随温度的变化，揭示了hFE（电流增益）的温度特性和退化特性。利用建立的模型，他们计算出器件的失效激活能，这是描述材料在特定条件下失效所需能量的一个关键参数。同时，模型还能预测器件在正常工作条件下的预期寿命。 加速寿命试验是可靠性工程中的一个重要工具，尤其是对于那些具有高可靠性的半导体器件，它们的寿命评估需要更长时间。常规的恒定应力加速寿命试验在某些情况下可能不再足够高效。序进应力加速寿命试验则能通过逐步增加应力的方式，使得器件更快地达到失效状态，从而缩短试验周期。 文中提到，随着科技和工艺的进步，半导体器件的可靠性不断提升，因此快速、准确地评估其寿命和可靠性至关重要。通过序进应力加速试验，研究人员可以在短时间内获取大量数据，快速推算出在实际使用环境下的可靠性指标，这对于半导体器件的设计优化和质量控制具有重要意义。 在结论部分，作者指出他们的研究成果与已有文献的数据吻合良好，验证了所提出方法的有效性。这种方法不仅适用于3CG120这类三极管，还可以推广到其他类型的半导体器件，为整个半导体行业的可靠性评估提供了新的思路和技术支持。 关键词涉及寿命试验、激活能和可靠性，表明该研究关注的是半导体器件的长期稳定性和预测性维护。中图分类号和文献标识码进一步确认了这是一篇工程技术领域的学术论文，发表在2007年的《北京工业大学学报》上。