Hi3516CV500 DDR4 配置指南

需积分: 0 4 下载量 3 浏览量 更新于2024-08-05 收藏 247KB PDF 举报
"Hi3516CV500 DDR4 参数配置方法1" 本文档是针对Hi3516CV500芯片的DDR4内存参数配置的详细指南,适用于技术支持工程师和软件开发工程师。Hi3516CV500是一款由海思技术有限公司设计的集成电路,常用于视频处理和智能硬件领域。该文档旨在帮助工程师理解和配置DDR4内存的相关参数,以确保系统的稳定运行和高效性能。 文档内容主要包括DDR4驱动的配置说明,涵盖了写方向和读方向的ODT(On-Die Termination)配置。ODT是一种用于减少信号反射的技术,在DDR4内存中起到关键作用,能够优化数据传输质量并减少电磁干扰。 在写方向的ODT配置中,有两个关键步骤: 1. **写方向 ODT 使能**:这一步骤涉及到开启ODT功能,以在写操作时提供适当的终端电阻,改善信号完整性。 2. **写方向 ODT 大小配置**:根据系统需求,需要配置合适的ODT阻值大小,以平衡信号质量和功耗。 对于读方向的ODT配置,同样包括两个方面: 1. **读方向 ODT 使能**:类似地,需要启用读取方向的ODT,以确保在读取数据时的信号质量。 2. **读方向 ODT 大小配置**:根据系统设计和DDR4内存模块的具体规格,调整适合的阻值以优化读取性能。 文档还强调了版权信息,提醒用户不得未经授权复制或传播内容,并指出产品、服务或特性可能受商业合同和条款约束。此外,海思公司不对文档内容提供任何明示或暗示的保证,用户需关注产品更新和适用性,以确保最佳的系统性能。 修订记录表明,此文档在2019年5月25日发布了第一个正式版本。用户可以通过访问海思公司的官方网站获取最新的文档和支持。 Hi3516CV500 DDR4参数配置方法文档是工程师进行系统设计和调试的重要参考资料,它提供了具体的操作步骤和技术细节,有助于提升基于Hi3516CV500平台的系统在使用DDR4内存时的性能和稳定性。