存储器测试：直接存取与内建自测试原理

"存储器测试方法，包括直接存取测试（Direct Access Memory Testing，DAMT）、内建自测试（Built-In Self Test，BIST）和宏测试（Macro Testing），在VLSI测试方法学和可测性设计中的重要性。" 在集成电路设计中，存储器测试是至关重要的，确保其正确性和可靠性。存储器测试方法主要包括三种：直接存取测试、内建自测试和宏测试。 **直接存取测试（DAMT）** 主要用于独立的存储器芯片测试。测试原理图通常包含额外的逻辑，允许测试设备选择地址、输入数据、读取输出并控制测试过程。然而，这种方式增加了电路面积和I/O需求，并且对于大型存储器来说，由于需要外部高级测试设备（Automatic Test Equipment，ATE），可能会变得不切实际。 **内建自测试（BIST）** 是为了解决嵌入式存储器测试的挑战而提出的。嵌入式存储器测试面临的问题包括：较少的直接可控和可观测I/O，过长的测试时间，多种故障类型的复杂性，以及随着容量增加的大量测试数据。BIST通过在芯片内部集成测试逻辑，可以进行自我诊断和测试，有效地缩短测试时间并提高测试覆盖率，同时减少了对外部测试设备的依赖。 **宏测试（Macro Testing）** 更多地应用于复杂的系统级测试，特别是当存储器被视为系统的一部分时，它允许对存储器宏进行单独的测试，以提高整体系统的可靠性和性能。 **VLSI测试方法学和可测性设计** 是针对超大规模集成电路（VLSI）的测试策略和设计方法的深入探讨。该领域涵盖电路测试的基础概念、数字电路的描述和模拟、组合和时序电路的测试生成，还包括IDDQ测试、随机和伪随机测试、M序列相关测试生成方法，以及内建自测试和数据压缩技术。这些内容对于设计、制造、测试和应用VLSI的工程师以及高等教育阶段的学生和研究生来说是必备的知识。 本书旨在为读者提供一个理解VLSI测试和设计的综合平台，通过学习，读者将能够处理电路级、芯片级和系统级的测试问题，同时也能够应对不断增长的存储器容量和复杂性的挑战。