高斯光干涉下SPP驻波场的不均匀影响与参数分析

本文主要探讨了干涉高斯光在实际应用中诱导表面等离子激元驻波场的特性及其影响因素。作者基于Kretschmann模型，并采用角谱方法对两束高斯光的干涉效应进行了深入分析。与理想平面波不同，高斯光的非均匀性导致诱导出的表面等离子体激元(SPP)干涉条纹的幅值和分布具有显著的不规则性。研究发现，光强的空间分布不均匀性对曝光深度的分布有重大影响，这意味着在实际的干涉光刻过程中，光源的精确控制至关重要。 文章详细探讨了金属薄膜的厚度、损耗以及光刻胶的介电常数对SPP驻波场的影响。作者指出，不合适的金属板厚度可能导致SPP驻波场的强度大幅减弱，因为过薄的金属无法有效地激发等离子体，而过厚则可能阻碍光的传输。同时，金属的微小损耗也会影响等离子体的形成，进一步削弱驻波场。此外，光刻胶的介电常数对表面等离子体共振至关重要，当其介电常数过大时，可能会阻碍共振现象的发生，导致SPP的缺失。 这篇论文对于理解和优化相干光学干涉光刻技术具有重要的理论价值，特别是在微纳尺度的光刻工艺中，如半导体器件制造和纳米结构设计等领域。它强调了在实际操作中，需要精确控制光的特性以及材料参数，以实现对SPP驻波场的有效利用，从而提升光刻的精度和效率。通过深入理解这些物理机制，科研人员可以更好地设计和优化光刻过程，以满足现代科技发展的需求。