2SJ485-VB P沟道MOSFET：TO-252封装，60V，低RDS(on)

"2SJ485-VB是一种P沟道的TO-252封装MOS场效应晶体管，适用于负载开关等应用。该器件由VB半导体制造，具有TrenchFET®技术，并经过100%UIS测试以确保品质。" 2SJ485-VB MOSFET是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其主要特点是采用TO-252封装，这种封装形式常见于功率电子设备中，因为它提供了良好的散热性能。TO-252封装包括三个引脚：源极（S）、栅极（G）和漏极（D），在顶部视图中可以看到它们的排列。 此MOSFET的关键参数如下： - 最大门-源电压（VGS）：±20V，意味着栅极相对于源极的最大允许电压。 - 连续漏极电流（ID）：在25°C时，最大连续漏极电流为-30A，在100°C时，这个值降低到-25A。这意味着MOSFET可以在这些温度下安全地处理指定的电流。 - 脉冲漏极电流（IDM）和持续源电流（IS）：两者均为-20A，表明MOSFET能承受的瞬时电流峰值。 - 雪崩电流（IAS）：同样为-20A，表示MOSFET在雪崩条件下能承受的最大电流。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：当电感L=0.1mH时，最大值为7.2mJ，这是防止过电压保护的重要参数。 - 最大功率耗散（PD）：在25°C时，最大功率为34W，在环境温度为25°C时，这个值增加到4W。 - 工作和储存温度范围（TJ, Tstg）：从-55°C到175°C，确保了MOSFET在宽温范围内能稳定工作。 热特性方面，2SJ485-VB的结壳热阻（RthJC）典型值为5°C/W，而结到环境的热阻（RthJA）在短暂加载时为20°C/W，稳定状态下为62°C/W至75°C/W。这些数值反映了MOSFET在不同条件下的散热效率。 此外，2SJ485-VB MOSFET采用了TrenchFET®技术，这是一种先进的制造工艺，它通过在硅片上创建深沟槽结构来提高器件的开关速度和降低导通电阻。100%的UIS测试确保了每个器件都能承受预期的过电压条件，增加了其在应用中的可靠性。 这款MOSFET适用于负载开关应用，例如电源管理、电机控制、电池管理系统和其他需要高效能和高可靠性的电源转换场合。用户可以通过VB半导体的服务热线400-655-8788获取更多产品信息或技术支持。