模拟电子技术基础第四版习题解析与半导体知识点

“模拟电子技术基础第四版配套习题答案 童诗白” 这篇资源主要涵盖了模拟电子技术的基础知识，特别是关于半导体器件的部分。其中包括了判断题、选择题以及一些实际电路问题的解答，涉及了N型和P型半导体、PN结、晶体管（包括放大状态下的电流形成）、场效应管（结型和MOS管）的工作原理，以及稳压管的特性。 1. **半导体器件**：N型半导体中掺入三价元素可以转变为P型半导体，因为三价元素提供空穴，使得多数载流子变为空穴。N型半导体中的多子是自由电子，但整体不带电。PN结在无光照、无外加电压时，没有扩散电流，只有少数载流子的漂移运动，结电流几乎为零。 2. **晶体管**：晶体管在放大状态下，集电极电流主要是由基极电流控制的少数载流子扩散产生的，而非多子漂移运动。对于结型场效应管，栅-源间的耗尽层承受反向电压能增大输入电阻，确保其高输入阻抗特性。 3. **场效应管**：耗尽型N沟道MOS管，UGS大于零时，通常会使沟道被打开，输入电阻减小，而非明显变小。因此，描述中的表述是错误的。 4. **稳压管**：稳压管在反向击穿状态下工作，以保持稳定的输出电压。在给定的题目中，稳压值为6V，稳定电流最小为5mA。 5. **晶体管工作状态**：晶体管在放大区时，发射结需正偏，集电结需反偏。当两者都正偏时，晶体管进入饱和区；若两者都反偏，晶体管则处于截止区。 6. **场效应管工作模式**：UGS=0V时，结型场效应管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区，而增强型MOS管需要栅-源电压来开启沟道。 7. **电路分析**：电路问题涉及到稳压管的稳压效果计算以及晶体管的输出特性曲线分析。例如，稳压管电路中，输出电压UO1和UO2可以通过稳压管的稳压值和附加电路参数来确定。晶体管的过损耗区是指超出安全工作区域的集电极电流与集电极-发射极电压（UCE）组合。 8. **晶体管参数**：集电极最大耗散功率PCM决定了晶体管在不同UCE和IC下的安全工作范围。当超过这个范围时，晶体管进入过损耗区，可能会导致性能下降或损坏。 9. **放大器设计**：对于一个共射放大器，基极电阻Rb的大小会影响基极电流，从而影响集电极电流和输出电压。临界饱和意味着基极电流达到足以让晶体管进入饱和区的水平，此时的Rb值可以通过计算得到。 这些习题答案详细解释了半导体器件的基本工作原理和应用，对于理解和掌握模拟电子技术的基础概念至关重要。