英飞凌IPC26N12N MOSFET中文规格手册：OptiMOS3功率晶体管芯片

"IPC26N12N是一款由英飞凌（INFINEON）生产的OptiMOS™3系列功率MOS晶体管芯片。这款器件是N沟道增强模式设计，专为动态性能优化而设计，其数据表参考了IPP048N12N3G型号。它具有较高的抗视觉缺陷等级（AQL 0.65），符合MIL-STD-883C静电放电敏感设备的标准，这意味着在生产和存储过程中需要特别注意静电防护。 该芯片采用裸晶圆（Bare Die）工艺制造，提供了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特性。它的主要参数包括：最大导通电压（V(BR)DSS）为120伏特（V），在典型工作条件下，导通电阻（RDS(on））低至4.81毫欧姆（mΩ），显示出优秀的开关效率。晶体管的尺寸为6.6x3.96平方毫米（mm²），厚度为250微米（µm）。IPC26N12N的封装类型和订单代码未定义，可能需要根据具体应用选择合适的封装形式。 在晶圆级电气特性方面，所有数据是在温度Tj = 25°C下提供的，除非另有说明。表1列出了关键性能参数，如导通压降、漏极饱和电流等，这些数据对于评估器件在电路中的性能至关重要。此外，手册还包含了标记信息以及相关的链接，用于获取更多技术文档和产品支持。 IPC26N12N是一个高性能的功率MOSFET解决方案，适用于工业和多市场应用，特别适合那些对功率效率、小型化和可靠性有较高要求的电子设备，如电机驱动、电源管理或信号放大器等。在使用时，需确保遵循制造商的建议和注意事项，以确保最佳的系统性能和长期稳定性。"