UTT25P10L-VB：P沟道100V TrenchFET MOSFET技术规格

"UTT25P10L-VB是一种P沟道的TO220封装MOS场效应晶体管，适用于电源开关、高电流应用中的负载开关以及DC/DC转换器等应用。该器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且不含卤素，满足IEC61249-2-21标准。其特性包括TrenchFET技术的PowerMOSFET，100%的Rg和UIS测试。在额定条件下，其绝对最大工作参数如Drain-Source电压为100V，Gate-Source电压为±20V，连续Drain电流在不同温度下有所不同，最大功率耗散在25°C时为11.7W，而热阻性能也进行了详细标注。" UTT25P10L-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET结构，这种结构通过在硅片上蚀刻出深沟槽，有效减小了导通电阻，提高了器件的效率。它具有100V的工作电压能力，适合在高压环境下操作。同时，这款MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试，确保了其可靠性和稳定性。 在应用方面，UTT25P10L-VB适用于电源开关，这通常涉及到电子设备的电源管理，确保设备在开启和关闭时的平稳过渡。此外，它也适合用作高电流应用中的负载开关，能够控制大电流的通断，确保系统的安全运行。DC/DC转换器是另一个重要的应用领域，MOSFET在此作为开关元件，帮助将直流电压转换成不同等级的直流电压，以满足不同电路的需求。 在电气特性方面，该MOSFET的最大Drain-Source电压VDS为100V，允许通过的连续Drain电流ID在不同结温下有所不同，例如在25°C时为18A，70°C时为13A。脉冲Drain电流IDM可达到100A，但需要注意的是，其工作周期必须小于1%，以防止过热。单个雪崩能量EAS限制为31mJ，确保在过载情况下器件的安全性。 热性能是MOSFET设计的关键因素，UTT25P10L-VB的结到壳热阻RthJC为9°C/W，表示每瓦功率损耗会导致器件壳温升高9°C。而结到环境的热阻RthJA为60°C/W，这意味着当MOSFET安装在1英寸平方的FR-4材质PCB上时，每增加一瓦的功率，结温将上升60°C。这些热阻值对于散热设计至关重要，以确保器件在高温环境中能保持稳定工作。 UTT25P10L-VB是一款设计精良、性能可靠的P沟道MOSFET，广泛应用于各种电力转换和控制场合，其出色的电气特性和热管理特性使其成为高功率应用的理想选择。在实际使用中，应严格遵守制造商提供的参数和建议，以确保器件的长期稳定性和系统整体性能。