SUD50P04-13L-GE3-VB：TrenchFET® P沟道功率MOSFET

"SUD50P04-13L-GE3-VB是一种采用TO252封装的P沟道MOSFET，由Infineon Technologies等公司生产。这款MOSFET具备TrenchFET技术，设计用于提供低热阻、高效率和可靠性。" SUD50P04-13L-GE3-VB是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，其主要特点是采用了TrenchFET技术。这种技术利用沟槽结构来降低栅极电荷，从而实现更低的导通电阻（RDS(on)），提高开关性能和效率。在TO252封装下，该器件具有良好的散热性能，降低了热阻，有助于在高功率应用中保持稳定工作。 产品参数显示，当栅极电压VGS为-10V时，导通电阻RDS(on)仅为0.012欧姆，而当VGS为-4.5V时，RDS(on)为0.015欧姆。这意味着在适当驱动条件下，该MOSFET能够提供非常低的通路电阻，从而在大电流传输时保持低损耗。最大漏源电压VDS为-40V，可承受一定程度的反向电压。连续漏极电流ID在25°C时为-50A，而在125°C时则降至-39A，这表明其在高温环境下仍能保持良好的电流承载能力。 此外，SUD50P04-13L-GE3-VB的绝对最大额定值包括：±20V的栅极源电压VGS，以及脉冲测试下高达-200A的单脉冲漏极电流IDM，确保了在瞬态负载下的稳定性。单脉冲雪崩电流IAS为-40A，单脉冲雪崩能量EAS达到80mJ，表明其在过载条件下具有良好的雪崩耐受能力。 在热特性方面，结到环境的热阻RthJA为50°C/W，而结到壳的热阻RthJC为1.1°C/W。这些数值表明，即使在高功率运行时，器件也能有效散发热量，防止过热。器件的工作结温及存储温度范围宽泛，从-55°C到+175°C，保证了在各种环境条件下的可靠运行。 SUD50P04-13L-GE3-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要低导通电阻、高电流处理能力和良好热管理的电源管理、开关电源、电机控制以及其他高功率电子应用。其独特的TrenchFET技术，配合优化的封装设计，确保了在严苛条件下的高效和稳定工作。