英飞凌IPP029N06N MOSFET芯片中文规格书

"IPP029N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌公司制造的OptiMOSTM系列N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）——IPP029N06N。这款芯片专为高性能开关电源系统（如同步整流器）设计，并具有多项关键特性。 OptiMOSTM技术是英飞凌在功率半导体领域的创新，旨在提供更高效、更可靠的电力转换解决方案。IPP029N06N是一款60V的MOSFET，其主要参数如下： 1. 额定电压（VDS）：60V，表示MOSFET在正常工作状态下能够承受的最大电压差。 2. 最大漏源导通电阻（RDS(on),max）：2.9毫欧，这是当栅极电压达到开启阈值时，源极到漏极之间的电阻，较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗，提高效率。 3. 持续电流（ID）：100A，代表MOSFET在安全工作条件下能处理的最大连续电流。 4. 栅极电荷（QG）：56nC，这是从0V至10V栅极电压变化时，通过MOSFET的总电荷量，影响开关速度。 5. 输出电容（QOSS）：65nC，开关过程中源极与漏极之间的电荷，影响开关损耗。 该芯片还通过了JEDEC（联合电子设备工程委员会）的测试，符合J-STD-20和JESD22标准，确保了其在目标应用中的可靠性。此外，IPP029N06N采用无铅引脚镀层，符合RoHS（关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质的指令）规定，并且是卤素免费的，符合IEC61249-2-21标准，这使得它对环境友好。 封装信息显示，IPP029N06N采用TO-220-3封装，这是一种常见的三引脚封装形式，包括源极（Pin3）、门极（Pin1）和漏极（Pin2，与散热片连接）。在实际应用中，这种封装提供了良好的热性能。 规格书中还包括最大额定值、热特性和电气特性等详细信息，这些参数对于电路设计者来说至关重要，因为他们需要确保MOSFET在实际电路中能够安全、稳定地工作。例如，最大额定值定义了器件可承受的极端条件，而热特性则关乎散热设计，电气特性则涉及MOSFET在不同工作条件下的行为。 在设计电源管理系统或需要高效率开关操作的电子设备时，IPP029N06N因其优化的性能和严格的合规性，成为了一个可靠的选择。通过深入理解这款芯片的规格和性能参数，设计师可以确保其在系统中的有效运用，实现高效能和低功耗。