TI TPD3S014-Q1：汽车USB接口的限流与ESD保护解决方案
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更新于2024-06-29
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TI-TPD3S014-Q1是一款专为汽车USB主机端口设计的高性能限流开关和静电放电保护组件。这款集成电路产品遵循严格的AEC-Q100标准的第2级，确保在极端环境温度(-40°C 至 +105°C)下稳定工作，适用于汽车电子系统的高可靠性和安全性需求。
其核心功能包括：
1. 功能安全：提供相关的文档支持，帮助设计师构建安全的系统，确保在故障情况下不会对整个系统造成严重影响。
2. 恒流限流：内置恒流限制，典型值为0.85A，有效防止过大电流导致的设备损坏，同时具有快速过流响应，能在2μs内做出反应，减轻5V电源的负载压力。
3. 保护特性：集成输出放电、反向电流阻断、短路保护以及过热自动重启机制，确保设备在突发状况下的安全。
4. ESD保护：具备IEC61000-4-24级静电防护，能够抵抗高达±12kV的接触放电和±15kV的空气间隙放电，以及外部引脚上的ISO10605标准的330pF/330Ω ESD保护。
5. 小型封装：采用6引脚SOT-23-2.90mm×1.60mm封装，节省空间，方便在紧凑的汽车电子系统中安装。
该器件的应用广泛，适用于诸如音响主机、后座娱乐系统、远程信息处理、USB集线器和导航模块等终端设备，能有效保护这些设备的USB接口免受过大负载或短路的损害。其集成性和小型化设计使得它在汽车内部布线时非常便捷，提高了整体系统的效率和可靠性。
TI-TPD3S014-Q1是汽车电子行业中一款重要的USB接口保护解决方案，旨在提升系统的稳定性和安全性，满足现代汽车对电子元件性能和防护等级的高标准要求。
6.8 Electrical Characteristics: –40°C ≤ T
A
≤ 105°C
4.5 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V, V
EN
= V
IN
, I
OUT
= 0 A, typical values are at 5 V and 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
(1)
MIN TYP MAX UNIT
POWER SWITCH
R
DS(on)
Input – output resistance
97 164
mΩ
ENABLE INPUT (EN)
Threshold Input rising 1 1.45 2 V
Hysteresis 0.13 V
Leakage current V
EN
= 0 V
–1
0 1 µA
t
ON
Turnon time
V
IN
= 5 V, C
L
= 1 µF, R
L
= 100 Ω, EN ↑
See 图 8-2
1 1.6 2.2 ms
t
OFF
Turnoff time
V
IN
= 5 V, C
L
= 1 µF, R
L
= 100 Ω, EN ↓
See 图 8-2
1.7 2.1 2.7 ms
t
R
Rise time, output
C
L
= 1 µF, R
L
= 100 Ω, V
IN
= 5 V, See 图 8-1
0.4 0.64 0.9 ms
t
F
Fall time, output
C
L
= 1 µF, R
L
= 100 Ω, V
IN
= 5 V, See 图 8-1
0.25 0.4 0.8 ms
CURRENT LIMIT
I
OS
(2)
Current limit, see 图 8-3
0.65 0.85 1.05 A
t
IOS
Short-circuit response time
(2)
V
IN
= 5 V (see 图 8-3)
One Half full load → R
SHORT
= 50 mΩ Measure
from application to when current falls below
120% of final value
2 µs
SUPPLY CURRENT
I
SD
Supply current, switch disabled I
OUT
= 0 A 0.02 10 µA
I
SE
Supply current, switch enabled I
OUT
= 0 A 66 94 µA
I
REV
Reverse leakage current V
OUT
= 5.5 V, V
IN
= 0 V, Measure I
VOUT
0.2 20 µA
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V
UVLO
Rising threshold
V
IN
↑
3.5 3.77 4 V
Hysteresis
V
IN
↓
0.14 V
OUTPUT DISCHARGE
R
PD
Output pull-down resistance
V
IN
= 4 V, V
OUT
= 5 V, Disabled 350 545 1200
Ω
V
IN
= 5 V, V
OUT
= 5 V, Disabled 300 456 800
THERMAL SHUTDOWN
T
SHDN
Rising threshold (T
J
)
In current limit 135
°C
Not in current limit 155
Hysteresis
(3)
20 °C
ESD PROTECTION
I
I
Input leakage current (D1, D2) V
I
= 3.3 V 0.02 1 µA
V
D
Diode forward voltage (D1, D2);
Lower clamp diode
I
O
= 8 mA 0.95 V
V
BR
Breakdown voltage (D1, D2) I
BR
= 1 mA 6 V
(1) Pulsed testing techniques maintain junction temperature approximately equal to ambient temperature
(2) See the Current Limit section for explanation of this parameter.
(3) These parameters are provided for reference only, and do not constitute part of TI’s published device specifications for purposes of
TI
’s product warranty.
TPD3S014-Q1
ZHCSEX2C – MARCH 2016 – REVISED AUGUST 2020
www.ti.com.cn
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Copyright © 2021 Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: TPD3S014-Q1
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