英飞凌INFINEON IPP65R150CFD CoolMOS™中文规格书

IPP65R150CFD是英飞凌(INFINEON)公司的一款650V CoolMOS™ CFD2功率MOSFET芯片，适用于工业及多市场领域。该芯片提供了TO-247、D²PAK、TO-220和TO-220FP等多种封装形式。其主要特点包括超快体二极管、非常高的关断鲁棒性和极低的开关、传导损耗。 **MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）** MOSFET是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，它通过在半导体表面形成的金属氧化物绝缘层控制电流的流动。这种器件以其高输入阻抗和良好的开关特性而闻名，是电源转换、电机驱动和其他功率管理应用中的关键组件。 **CoolMOS™技术** CoolMOS™是英飞凌开发的一种超级结（Super Junction）技术的MOSFET，它采用创新的结构来降低导通电阻并提高开关速度。超级结技术通过在硅衬底中构建一个高电荷密度的垂直结构，实现了更高的击穿电压和更低的损耗。 **650V CoolMOS™ CFD2系列** IPP65R150CFD属于650V CoolMOS™ CFD2系列，集成了领先的超级结MOSFET技术和英飞凌的创新成果。这些器件不仅具有快速开关的优势，还拥有一个极其快速且坚固的体二极管，这在需要反向电流路径的应用中尤其重要。 **主要特性** 1. **超快体二极管**：体二极管是MOSFET内部的一个组成部分，用于处理反向电流。超快体二极管意味着在反向恢复期间，器件能够迅速关闭，减少能量损耗和电磁干扰。 2. **非常高关断鲁棒性**：这意味着IPP65R150CFD在高速开关操作中能承受更高的应力，降低了在恶劣条件下的损坏风险。 3. **极低损耗**：由于采用超级结技术，该器件的开关损耗和传导损耗都非常低，提高了系统的整体效率。 **应用场景** 由于其卓越的性能，650V CoolMOS™ CFD2系列特别适合于需要高效、快速开关和高可靠性的应用，如谐振开关电源、电动汽车充电系统、服务器电源、光伏逆变器以及工业电机控制等。 **封装形式** IPP65R150CFD提供了多种封装选择，包括TO-247、D²PAK、TO-220和TO-220FP，这些封装设计考虑到了不同的散热需求和安装空间限制。 IPP65R150CFD是一款高性能的功率MOSFET，其先进的CoolMOS™ CFD2技术确保了在各种高电压应用中实现高效、可靠的电力转换。