DDR4 SODIMM规格说明书：260引脚，8GB内存模块

"SuperTalent Datasheet-DDR4-SODIMM-F21SB8GS.pdf" 是一份关于DDR4 SODIMM内存模组的技术规格说明书，主要关注260引脚的外形设计和相关电气特性。 DDR4 SODIMM是一种小型双列直插式存储模块，常用于笔记本电脑、嵌入式系统和其他空间有限的设备中。该模块采用260针脚接口，相较于DDR3，其显著的改进在于工作电压的降低，从DDR3的1.5V或1.35V下降到1.2V（VDD），这有助于减少功耗和发热量。同时，数据线的电源电压VDDQ也保持在1.2V的范围内，而辅助电源VPP为2.5V，SPD（Serial Presence Detect）电压则在2.25V至2.75V之间。 DDR4 SDRAM的特性包括16个内部银行，这提升了并发访问的能力，增强了多任务处理性能。此外，它采用了Bank Grouping技术，允许不同或相同Bank组之间的CAS to CAS延迟（tCCD_L, tCCD_S）可调，进一步优化了内存访问效率。数据传输速率支持PC4-2133、PC4-1866和PC4-1600，这些速率对应于DDR4内存的等效频率，例如PC4-2133代表3200MT/s的时钟速度。 该内存模组还具备双向差分数据 strobe（Bi-Directional Differential Data Strobe），这种设计提高了数据传输的稳定性和抗干扰能力。8位预取（8-bit prefetch）功能意味着每次从内存芯片读取或写入的数据量是8位，而非DDR3的4位，从而提高了数据吞吐量。Burst Length（BL）可以在运行时动态切换，支持BL8（8次连续突发）和BC4（Burst Chop，4次突发后切换方向）模式，提供了更灵活的内存操作。 DDR4还包括On-Die Termination（ODT）功能，这是一种在内存芯片内部实现的终端电阻，有助于减小信号反射并改善信号完整性。此外，内存模块集成了温度传感器，可以实时监测内存温度，确保系统稳定性。最后，该产品符合RoHS（Restriction of Hazardous Substances，限制有害物质指令），这意味着它不含欧盟法规限制的六种有害物质，符合环保标准。 DDR4 SODIMM F21SB8GS是一款高效、低功耗的内存解决方案，适用于需要高性能和低能耗的现代计算平台。它的各种特性如更低的工作电压、更高的数据传输速率、先进的Bank Grouping和ODT技术，都体现了DDR4相对于前代标准的显著进步。