Hynix HY64LD16322M: 2Mx16bit Low Power Pseudo SRAM规格说明书

"Hynix HY64LD16322M.pdf" 本文档是关于Hynix半导体公司的HY64LD16322M系列芯片的产品介绍，该文档可能随时更新，但不承担任何因使用其中描述的电路而产生的责任。此文档并不暗示任何专利许可。 该芯片是一款2Mx16位低功耗1T/1C伪静态随机存取存储器（Pseudo SRAM）。1T/1C表示每个存储单元由一个晶体管（Transistor）和一个电容器（Capacitor）组成，这种设计实现了高速性能的同时，保持了低功耗特性。伪静态随机存取存储器结合了静态RAM的高速特性和动态RAM的高密度优点，无需周期性刷新，但在某些操作条件下需要像动态RAM那样管理电源。 修订历史如下： - 1.0版：初始版本发布。 - 1.1版：修改了引脚连接，优化了输出使能（TOE）时间从45ns缩短到30ns。 - 1.2版：修正了状态图，更新了封装尺寸，修改了绝对最大额定值。 - 1.3版：增加了直流电气特性（ISB1, IDPD, ICC1），修正了状态图，加入了上电序列、深度电源下降序列、读写周期注意事项，释放待机电流从100µA到120µA。 - 1.4版：调整了直流电气特性（ICC1从3mA增加到5mA），更新了上电序列。 - 1.5版：改善了电源电流（ICC2从30mA降低到20mA），改进了工作环境温度范围C/E到E/I（0°C~85°C/-25°C~85°C→-25°C~85°C/-40°C~85°C）。 - 1.6版：进一步提升了最大绝对额定值（Vdd从-0.3V到3.3V提升至-0.3V到3.6V），优化了TOE时间从30ns缩短到20ns。 这些修订反映了产品在设计和性能上的不断优化，包括功耗降低、速度提升、工作环境适应性增强以及电气性能的改进。这些改进对于需要高性能、低功耗存储解决方案的应用至关重要，例如移动设备、嵌入式系统或需要长时间运行且电源管理严格的设备。用户在使用这款芯片时，应根据最新的修订版文档来获取最准确的规格信息。