FW138-TL-E-VB：SOP8封装双P-Channel场效应MOS管，-30V/-7A高效率

FW138-TL-E-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR公司生产的SOP8封装的双极性场效应晶体管（MOSFET），特别是一款30伏特（D-S）的Trench FET型功率MOSFET。该器件具有以下特点： 1. 环保设计：该产品采用无卤素材料，符合现代电子设备对环保的要求。 2. 高性能技术：作为Trench FET系列的一部分，FW138-TL-E-VB利用先进的沟槽工艺，提供高效率和低导通电阻（RDS(ON)）。 3. 严格测试：每个器件都经过100%的UIST（未知失效模式及应力测试），确保了产品的可靠性。 4. 规格参数： - 封装：SOP8封装，适合表面安装在1英寸x1英寸的FR4电路板上。 - 电压等级：最大允许的 Drain-Source Voltage (VDS) 为-30V，而 Gate-Source Voltage (VGS) 的极限是±20V。 - 电流能力：在连续工作条件下，当TJ=150°C时，允许的最大持续漏极电流（ID）为-7.3A，而在25°C时可达-7.0A。源极到漏极的续流二极管电流（IS）在25°C下为-4.1A。 - 过载保护：单脉冲雪崩电流（I_Avalanche）在0.1mH的电感负载下为-20A，单次脉冲雪崩能量（AS）为20mJ。 - 散热性能：最大功率损耗（PD）在25°C下为5.0W，在70°C时为3.2W，反映了良好的热管理特性。 5. 温度范围：FW138-TL-E-VB适用于-55°C至150°C的操作和存储温度范围。 6. 热阻抗：提供了典型的热阻抗参数Ma，这有助于评估散热设计中的热流路径。 这款MOSFET适用于各种应用，特别是负载开关，因为它能承受高电压和大电流，并且在高功率密度环境中表现出色。设计者在选择和使用该器件时，需注意其在不同温度条件下的工作限制，并确保合理的散热措施以防止过热。FW138-TL-E-VB是一款高效、可靠且适合工业级应用的双P-Channel MOSFET。