Intel StrataFlash Wireless Memory L18 SCSP Datasheet

"Intel MCP（Multichip Package）是一种集成了多种功能芯片的封装技术，本资料主要聚焦于Intel的StrataFlash® Wireless Memory (L18 SCSP)产品，这是一种结合了闪存（Flash Memory）和同步静态随机访问内存（Synchronous PSRAM）的器件。" Intel StrataFlash® Wireless Memory (L18 SCSP) 是一款针对无线应用设计的高性能存储解决方案，它将768兆比特（Mbit）的L18系列闪存与同步PSRAM相结合，提供了灵活的数据存储和高速数据处理能力。以下是该产品的关键特性： 1. **设备架构**： - **Flash Die密度**：128 Mbit或256 Mbit，提供不同容量的选择。 - **PSRAM Die密度**：32 Mbit或64 Mbit，满足不同内存需求。 - **I/O接口选项**：支持x16非复用（Non-Mux）或先进直接复用（Advanced Direct Mux）接口。 - **参数配置**：底部或顶部的Flash参数配置，可根据应用需求进行定制。 2. **电源电压**： - **核心电压**（VCC）：1.8V，确保低功耗运行。 - **I/O电压**（VCCQ）：同样为1.8V，与核心电压保持一致，优化信号完整性。 3. **封装规格**： - **封装形式**：QUAD+（88引脚球栅格阵列）。 - **尺寸**：8x10mm至11x13mm，适应不同空间限制。 - **高度**：1.2mm至1.4mm，轻薄设计，适合移动设备。 4. **PSRAM性能**： - **初始读取访问时间**：70ns，确保快速数据获取。 - **异步页模式读取**：20ns，快速读取数据。 - **最大工作频率**：高达54MHz，配合9ns时钟到数据延迟的同步突发模式读写。 - **可配置突发长度**：4-, 8-, 16-词连续突发长度读写。 - **自刷新与温度补偿**：部分阵列自我刷新，以及温度补偿，提高稳定性。 - **可编程输出阻抗**：根据系统需求调整。 5. **Flash性能**： - **初始读取访问时间**：85ns，满足基本读取需求。 - **异步页模式读取**：25ns，快速读取。 - **同步突发模式读取**：最高54MHz，14ns时钟到数据输出，高速读取。 - **增强型工厂编程缓冲**（BEFP）：5μs/字节（典型），快速编程。 - **写缓冲编程**：7μs/字节（典型），高效写入操作。 6. **Flash架构**： - **读写/擦除同时进行**：允许在读取数据的同时进行编程或擦除操作，提升效率。 - **非对称块设计**：提供更灵活的数据管理。 这款产品是专为无线通信、嵌入式系统和移动设备设计的，结合了闪存的非易失性和PSRAM的高速访问，为这些领域的数据存储和处理提供了理想的解决方案。其紧凑的封装尺寸、低电压操作以及出色的性能指标，使其成为高密度、高性能应用的理想选择。