SOT23封装P-Channel场效应MOSFET FDN358P-NL-VB：高性能电源开关

本文档介绍了一款名为FDN358P-NL-VB的SOT23封装P-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司制造。这款MOSFET采用了TrenchFET® PowerMOSFET技术，确保了高效能和可靠性。 该器件的主要特性包括： 1. **封装形式**：SOT23封装，适合表面安装，占用极小的空间，适用于移动计算应用中的紧凑设计。 2. **电气规格**： - **耐压等级**：D-S电压最高可达-30V，保证了在高电压环境下的稳定性。 - **漏电流**（RDS(ON)）在不同VGS电压下表现出优异性能，例如在VGS = 10V时，RDS(ON)为47mΩ，当VGS降至-10V时，RDS(ON)上升到0.046Ω。 - **最大连续导通电流**：在标准温度条件下，ID高达-5.6A，而在高温条件（如70°C）下有所下降。 - **栅极注入电荷**（Qg）也给出了典型值，有助于评估存储器的稳定性和瞬态响应。 3. **应用领域**： - **移动计算**：适用于负载开关、笔记本适配器开关以及直流-直流转换器等应用。 - **安全限制**：产品概述列出了绝对最大额定值，如最大功率损耗（PD）、脉冲和持续漏电流限制等。 4. **温度范围**： - **操作温度**：-55°C 至 +150°C，确保在各种环境条件下都能稳定工作。 - **热阻**：提供了MΩ·cm²/K的热阻值，这对于散热设计至关重要。 5. **注意事项**： - 参数基于25°C环境，表面安装在1" x 1" FR4板上。 - 温度依赖性：一些指标在不同温度条件下有所不同，例如在70°C时电流和功率损耗降低。 FDN358P-NL-VB是一款高性能、低损耗的P-Channel MOSFET，特别适合对尺寸和效率有严格要求的便携式电子设备中的开关和电源管理应用。设计师在选择或使用此器件时，需注意其电气特性和工作温度范围，以确保系统在实际应用中的可靠性和性能。