RN8213/RN8211B SOC芯片电容去耦及接口详解

本篇文档是关于RN8213/RN8211/RN8211B单相SoC芯片的用户手册，版本为V1.7，由深圳市锐能微科技股份有限公司提供。手册详细介绍了芯片的电气特性、系统控制、计量、模拟外设、IIC接口、7816时钟以及其他功能的相关信息。 1. **电源管理**: - **REFV**: ADC的参考输入需要并接0.1uF和1uF电容以确保稳定。 - **VBAT**: 用于3.6V电池输入。 - **VCC**: 主电源输入，推荐范围2.8V~5.5V，需外接4.7uF电容和0.1uF电容进行去耦，以减少噪声干扰。 - **VSWO**: 当VCC与VBAT切换后，提供电源输出，同样需要1uF电容和0.1uF电容去耦。 - **LDO18**: 1.8V LDO输出，用于芯片的数字域供电，建议外接1uF和0.1uF电容。 2. **模拟外设**: - **LCDVD, LCDVC, LCDVB, LCDVA**: 每个LCD电压输出管脚应接470nF电容。 - **电荷泵和电阻串分压**: 当使用电荷泵时，LCDVP1和LCDVP2间连接100nF电容，而串分压时可悬空。 3. **接口通信**: - IIC接口在1.8432MHz时钟下不支持高速模式。 - 7816章节中的卡时钟输出不支持32/64/128分频。 4. **存储器管理**: - SRAM中的BOOTROM占用特定的RAM地址空间。 - P50/P51管脚复用配置有所说明。 5. **其他细节**: - HBMCDM和MMLatch-up试验参数已独立列出。 - PBULD3引脚的开漏输出增加了非门选项。 - SPI接口的基址名称纠正，SPI应用注意事项也有提及。 - eeprom相关的擦写函数已被移除。 通过阅读这份手册，用户可以了解如何正确地为RN8213/RN8211B芯片供电、配置接口以及理解其内部存储器的使用，确保在实际应用中芯片的稳定性和性能。在设计电路时，务必遵循这些去耦和连接建议，以避免可能的信号干扰和提高系统可靠性。