VBsemi SI7850DP-T1-E3-VB：60V N沟道MOSFET技术规格

"SI7850DP-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。它具有低电阻、环保无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术等特点，并经过100%Rg和UIS测试。该器件的最大 drain-source 电压为60V，最大连续漏电流在不同温度下有所不同，最高可达15A。其RDS(on)在VGS=10V时为0.024Ω，VGS=4.5V时为0.028Ω，Qg典型值为5.2nC。此外，还有脉冲漏电流、连续源漏二极管电流、单脉冲雪崩电流和能量等绝对最大额定值。" SI7850DP-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi公司生产。这款MOSFET采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽来减少导通电阻，从而提高效率并降低功耗。这种技术使得SI7850DP-T1-E3-VB在小尺寸封装中也能提供出色的电气性能。 在特性方面，这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准，确保其不含卤素，是环保的选择。100%的Rg和UIS测试确保了其可靠性和安全性，Rg测试是为了验证栅极电阻的完整性，而UIS测试则是为了评估器件在过电压条件下的耐受能力。 该MOSFET的电气参数显示，它能承受60V的最大drain-source电压（VDS），并且在不同的结温条件下，能提供不同的最大连续漏电流（ID）。例如，在25°C时，ID可达15A，而在70°C时则下降到9A。RDS(on)是衡量MOSFET导通电阻的关键参数，较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗，对于电源转换和开关应用至关重要。 Qg表示总栅极电荷，是衡量开关速度和开关损耗的指标，5.2nC的数值意味着快速的开关性能。IDM是脉冲漏电流的最大值，IS是连续源漏二极管电流，它们定义了MOSFET在脉冲和稳态工作模式下的电流能力。此外，还提供了单脉冲雪崩电流（IAS）和雪崩能量（EAS）的绝对最大值，以防止器件在极端工作条件下发生雪崩击穿。 SI7850DP-T1-E3-VB是一款适合于高效率电池开关和DC/DC转换器应用的MOSFET，其小巧的DFN8封装、低RDS(on)和高效TrenchFET技术使其在电源管理领域具有竞争力。在设计电路时，应根据实际工作条件和性能需求，正确评估并利用这些参数。