VBsemi SI7850DP-T1-E3-VB:60V N沟道MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"SI7850DP-T1-E3-VB是一种N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。它具有低电阻、环保无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术等特点,并经过100%Rg和UIS测试。该器件的最大 drain-source 电压为60V,最大连续漏电流在不同温度下有所不同,最高可达15A。其RDS(on)在VGS=10V时为0.024Ω,VGS=4.5V时为0.028Ω,Qg典型值为5.2nC。此外,还有脉冲漏电流、连续源漏二极管电流、单脉冲雪崩电流和能量等绝对最大额定值。"
SI7850DP-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi公司生产。这款MOSFET采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出深沟槽来减少导通电阻,从而提高效率并降低功耗。这种技术使得SI7850DP-T1-E3-VB在小尺寸封装中也能提供出色的电气性能。
在特性方面,这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准,确保其不含卤素,是环保的选择。100%的Rg和UIS测试确保了其可靠性和安全性,Rg测试是为了验证栅极电阻的完整性,而UIS测试则是为了评估器件在过电压条件下的耐受能力。
该MOSFET的电气参数显示,它能承受60V的最大drain-source电压(VDS),并且在不同的结温条件下,能提供不同的最大连续漏电流(ID)。例如,在25°C时,ID可达15A,而在70°C时则下降到9A。RDS(on)是衡量MOSFET导通电阻的关键参数,较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗,对于电源转换和开关应用至关重要。
Qg表示总栅极电荷,是衡量开关速度和开关损耗的指标,5.2nC的数值意味着快速的开关性能。IDM是脉冲漏电流的最大值,IS是连续源漏二极管电流,它们定义了MOSFET在脉冲和稳态工作模式下的电流能力。此外,还提供了单脉冲雪崩电流(IAS)和雪崩能量(EAS)的绝对最大值,以防止器件在极端工作条件下发生雪崩击穿。
SI7850DP-T1-E3-VB是一款适合于高效率电池开关和DC/DC转换器应用的MOSFET,其小巧的DFN8封装、低RDS(on)和高效TrenchFET技术使其在电源管理领域具有竞争力。在设计电路时,应根据实际工作条件和性能需求,正确评估并利用这些参数。
2023-12-18 上传
2023-12-22 上传
2023-12-27 上传
2023-12-19 上传
2024-01-05 上传
2023-12-21 上传
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2023-12-19 上传
2023-12-19 上传
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