NAND Flash市场洞察：Samsung主导，手机应用崛起

"本文主要介绍了nandflash的基本知识，包括SLC、MLC和MBC三种技术，并讨论了NAND Flash在电子业中的应用，特别是手机市场的增长潜力，以及Samsung在NAND Flash市场的主要地位。文章还分析了行业竞争格局和投资建议，提到力成和创见作为相关厂商的投资价值。" NAND Flash是一种广泛使用的非易失性存储技术，它在电子设备中扮演着重要的角色，尤其是随着数字设备的快速发展。文章提到了NAND Flash的三种主要技术类型：SLC（单层单元），MLC（多层单元）和MBC（多比特单元）。SLC技术是最基础的，每个存储单元能存储1 bit的数据，通过改变Floating Gate上的电荷来实现数据写入和擦除。MLC技术则更为复杂，通过控制Memory Cell的电压，可以在同一单元中存储多个bit的数据，从而显著提高存储密度。文章指出，MLC技术由Intel和Toshiba引领，而Samsung、Hynix和Micron等公司则在SLC技术上有所建树。 NAND Flash的应用场景广泛，尤其是在数字相机和手机领域。据IDC预测，到2008年，手机应用将占据NAND Flash市场的相当大比例，与数字相机的重要性相当。然而，由于市场需求的不确定性，手机市场对NAND Flash需求的增长速度仍存在变数。 Samsung在NAND Flash市场中占据主导地位，得益于其在DRAM制造领域的经验和规模优势，2004年的市场份额超过50%，对市场价格具有影响力。尽管其他DRAM制造商如Hynix、Infineon、Micron和力晶等也进入NAND Flash市场，但追赶Samsung的步伐仍然艰难。在产业链上，文章认为“开发制造”和“品牌销售”环节最具利润潜力，但竞争激烈，尤其是Samsung和Toshiba两强相争。 对于投资者，文章建议关注与NAND Flash相关的国内厂商，如力成，因其与Toshiba的合作关系，成为NAND Flash封装测试的重要供应商，预计2005年每股盈余（EPS）将达到10.97元。模组厂商方面，由于市场竞争激烈，自有USB Drive产品的利润空间有限，而记忆卡市场则需要面对国际大厂的竞争，只有具备品牌价值的厂商才能在其中脱颖而出。因此，考虑到财务结构和运营风险，投资者应谨慎选择投资目标。