MEMS技术驱动的太赫兹混频器设计与制造

"基于MEMS技术的新型太赫兹混频器设计与制作 (2015年) - 一种采用高介电常数SU-8光刻胶为介质层，通过光刻、电镀微带线技术制造的混频器，利用正负胶结合的牺牲层工艺实现。" 这篇论文探讨了基于微电子机械系统（MEMS）技术的新型太赫兹混频器的设计和制造过程。混频器在太赫兹通信、成像和其他相关领域中扮演着关键角色，它能够将不同频率的电磁信号转换为新的频率，对于信号处理至关重要。该研究提出了一种创新方法，利用MEMS工艺来制造适用于太赫兹波段的混频器。 首先，该设计采用了高介电常数的SU-8光刻胶作为混频器的介质层。SU-8是一种常用的光刻胶材料，因其良好的机械强度、高的热稳定性以及可调节的介电常数而被广泛应用于微纳结构的制作。选择高介电常数的材料有利于提高混频器的频率响应和效率。 接着，论文详细描述了在SU-8介质层上进行的后续加工步骤。这些步骤包括光刻工艺，这是微电子制造中常见的图形转移方法，通过曝光和显影将设计图案转移到SU-8层上。接下来，通过电镀工艺在SU-8层上形成微带线结构，这种微带线可以有效地传输和混合太赫兹频率的信号。 特别的是，该研究引入了一种正负胶结合的牺牲层工艺。这是一种精细的微加工技术，通过使用两种性质相反的光刻胶，可以精确地去除特定区域的材料，形成所需的三维结构。这种工艺在MEMS器件的制作中尤为关键，因为它允许在不破坏其他结构的情况下，创建出复杂且精细的空腔或悬臂结构。 最后，论文中提到的这款太赫兹混频器展示了其在微米尺度下的性能和潜力。通过实验验证，这种新型混频器有望在太赫兹通信系统、遥感、安检等领域发挥重要作用，进一步推动太赫兹技术的发展。 关键词：混频器；太赫兹；MEMS；微带线；牺牲层工艺 这篇论文属于工程技术类，对MEMS技术在太赫兹器件制造中的应用进行了深入研究，为相关领域的研究人员提供了有价值的参考。