英飞凌IPD60N10S4L12ATMA1芯片中文规格书

"IPD60N10S4L12ATMA1 是一款由英飞凌科技（INFINEON）制造的OptiMOSTM-T2 功率晶体管，其规格书提供了详细的芯片参数和技术特性。这款芯片是N沟道增强型，适用于汽车电子应用，并符合AEC-Q100标准，适用于高达260°C的峰值再流温度。它还是一款绿色环保产品，符合RoHS标准。" 详细说明： IPD60N10S4L12ATMA1的主要特性包括： 1. N沟道增强型：这意味着该器件在栅极电压（VGS）高于阈值时才能导通，允许在不消耗静态电流的情况下控制电流流过电路。 2. AEC-Q100合格：该芯片符合汽车电子委员会的质量和可靠性标准，适合用于汽车电子系统。 3. MSL1等级：表示湿度敏感度等级，最高可在260°C的峰值回流温度下工作，保证了在组装过程中的稳定性。 4. 175°C操作温度：表明该器件能在高达175°C的恶劣环境中稳定运行。 5. 100%雪崩测试：意味着芯片经过了全面的雪崩耐受测试，确保其在高瞬态电流下的安全性。 6. 最大额定值： - 连续漏极电流（ID）：在25°C和10V栅极电压下为60A，100°C时降为43A。 - 脉冲漏极电流（ID，pulse）：25°C时可承受的最大脉冲电流为240A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：在30A电流下，单脉冲可承受的最大雪崩能量为120mJ。 - 单脉冲雪崩电流（IAS）：未指定条件下，最大雪崩电流为40A。 - 栅源电压（VGS）：范围在±16V之间。 - 功率耗散（Ptot）：25°C时的最大功率耗散为94W。 - 工作和储存温度范围（Tj，Tstg）：-55°C到175°C。 - 击穿电压（VDS）：额定值为100V。 - 最大漏极-源极导通电阻（RDS(on)，max）：在60A的ID下，最大值为12mΩ。 7. 封装信息：采用PG-TO252-3-313封装，标记为4N10L12，TAB表示有源栅极引脚设计，有助于降低RDS(on)并改善热性能。 8. 热特性： - 热阻，结-壳（RthJC）：在典型情况下，从芯片结温到外壳的热阻为1.6K/W，这影响了器件在高功率应用中的冷却能力。 - 热阻，结-环境（RthJA）：结到空气的热阻为62°C/W，这决定了器件在自由空气中的散热效率。 这些规格书中的数据对设计者来说至关重要，因为它们提供了关于器件性能、安全性和热管理的关键信息，帮助工程师在设计电路时做出最佳选择。