Micron DDR3 4Megx4 EDODRAM 数据手册

"DDR3内存模块的中文数据手册，涵盖了Micron公司生产的MT4C4M4E8和MT4LC4M4E9系列，这些是4兆字节x4位的EDO DRAM芯片。手册详细列出了不同封装、刷新率和电压配置的部件编号，包括SOJ和TSOP两种封装类型，以及标准和自我刷新两种模式。" DDR3内存是计算机系统中的重要组件，负责存储和传输临时数据。在这个数据手册中，重点介绍了Micron Technology Inc.制造的4 Meg x 4 EDO（Extended Data Out）DRAM芯片，这是一种用于早期计算机内存技术的DRAM类型，它在DDR和DDR2内存之前被广泛使用。EDO DRAM相比传统FPM（Fast Page Mode）DRAM具有更快的数据读取速度，因为它可以在时钟周期之间持续输出数据，提高了系统性能。 手册列出了多个产品型号，如MT4LC4M4E8和MT4C4M4E8，这些型号的区别在于供电电压（3.3V或5V）和刷新率（2K或4K周期），以及封装形式（SOJ或TSOP）。其中，“L”表示低电压版本，“C”则可能代表常规电压版本。此外，"DJ"和"DJS"的区别在于是否支持自我刷新功能，自我刷新的芯片能自动执行内存单元的刷新操作，无需CPU干预，这对于电池供电或低功耗应用尤其有用。 这些芯片遵循行业标准的x4引脚布局、时序、功能和封装，这意味着它们可以与兼容的主板无缝配合。采用先进的、高性能、低功耗的CMOS硅门工艺制造，确保了芯片在提供高速数据传输的同时保持低能耗。所有输入、输出和时钟信号均兼容TTL电平，这意味着它们可以直接与使用TTL标准的其他电路接口。 手册还提到了单电源供应，可以是+3.3V±0.3V或+5V±10%，这为设计者提供了灵活性，可以根据具体系统需求选择合适的电压。这些特性使得这些EDO DRAM芯片适用于多种应用场景，包括早期的个人电脑和嵌入式系统。 总体来说，这个数据手册为工程师和系统设计师提供了全面的技术规格和参数，帮助他们在设计过程中正确选择和使用这些DDR3内存芯片。