ATO25D1GA 1Gbit SPI NAND Flash Memory技术手册

ATO25DG1A技术手册详细介绍了韩国ATO公司推出的一款串行快闪SPI闪存，它是一款3.3V供电的1GB(128MB x 8位)NAND闪存，适用于需要高性价比的固态大容量存储市场。这款内存以块为单位进行管理和操作，每个块包含128K字节(64页)，支持快速编程和擦除，性能表现优越。 - 电源需求: ATO25D1GA工作在3.3V电压范围，但也兼容2.7V到3.6V，提供了一定的电压适应性。 - 内存结构: 内置128M+4M字节的内存细胞阵列，以及2048+64字节的数据寄存器，支持高效的读写操作。 - 编程与擦除: 单个页编程时间为典型200us，128K字节的块擦除时间为2ms，具有快速写入能力。同时，无需外部缓冲即可实现快速页面复制。 - 访问速度: 数据读取时，随机访问最快可达25us，而串行访问速度最低为25ns，提高了数据处理效率。 - 安全性特性: 为了保护数据安全，手册提到了OTP区域，有16KB(8页)用于存储只读锁码，确保在电源转换期间程序和擦除操作的锁定状态。此外，还包含了硬件数据保护机制，如在电源丢失时保持编程和擦除锁定，以及数据完整性保障，最大可承受100K次编程/擦除循环。 - 版本历史: 手册展示了从Rev.00到Rev.01的更新过程，如FBGAPKG尺寸选项的增加和初步设计的改进，确保了产品的持续优化和稳定性。 - 规格概述: ATO25D1GA不仅注重性能，还在设计上考虑了用户使用的便捷性和系统的可靠性，是工业级应用的理想选择。 ATO25DG1A技术手册提供了这款NAND闪存的关键信息，对于工程师和系统集成者在设计存储方案时，提供了重要的技术参考和指导。