LTC1155:高效微功率MOS管双侧驱动芯片
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更新于2024-07-24
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MOS管升压驱动芯片,如LTC1155,是一款专为高边驱动设计的微功率MOSFET驱动器,它在现代电子系统中扮演着关键角色。该芯片的特性包括以下几个重要方面:
1. 双高边驱动:LTC1155是双通道设计,允许同时控制两个N沟道MOSFET,这在需要同时开关两个负载的场合非常有用,例如在电源转换电路中。
2. 集成电荷泵:显著亮点在于内置的电荷泵功能,无需外部元件就能将电源电压提升至MOSFET的栅极,从而实现全增强N沟道MOSFET的驱动,极大地简化了电路设计并提高了效率。
3. 低功耗模式:8微安的待机电流(8 µA)和85微安的运行电流(85 µA),使得这款芯片能够在各种系统中高效运行,即使在电源有限的情况下也能保持良好的性能。
4. 短路保护:内置过流检测功能可以自动切断电源以防短路,增加了系统的安全性。此外,通过设置延时,可防止在启动瞬间由于大电流冲击(如灯泡或电容放电)导致的误触发。
5. 宽电源范围:LTC1155支持4.5伏到18伏的输入电压,这意味着它可以在多种工作环境中稳定工作,具有良好的适应性。
6. 逻辑兼容性:设计兼容标准逻辑家庭,易于与其他逻辑电路配合使用,提升了系统的灵活性和扩展性。
7. 封装形式:8引脚小外形塑料封装(SOP)使得芯片体积小,适合于空间受限的应用。
总结来说,LTC1155是一款高效、紧凑的高边驱动MOS管升压驱动芯片,适用于对电源效率、电路简化和保护功能有高要求的电子设备,特别适合于需要驱动N沟道MOSFET进行电源切换的场合,如在电源管理、电机控制或电源转换等应用中。
2018-01-30 上传
2020-07-30 上传
2021-06-21 上传
2013-07-16 上传
2016-04-11 上传
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2021-04-21 上传
2021-11-18 上传
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