富士通MB85RC256V铁电存储器:高效能非挥发性内存解决方案
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更新于2024-07-19
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"富士通的MB85RC256V是一款基于铁电随机存取内存(FRAM)技术的非易失性存储芯片,提供了256K(32K×8位)的存储容量。这款芯片利用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术构建非易失性内存单元,无需数据备份电池即可保持数据。其读写耐久性高达10的12次方周期,远超其他非易失性内存产品。与闪存或E2PROM不同,MB85RC256V在写入后不需要轮询序列。它采用两线式串行接口,由串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)两个端口完全控制,最大工作频率为1MHz。数据保留时间分别为在+85°C环境下10年,+55°C环境下95年,以及+35°C环境下超过200年。工作电源电压范围为2.7V到5.5V,功耗低。"
详细说明:
富士通的MB85RC256V是一款非易失性存储解决方案,其核心技术在于使用了铁电随机存取内存(FRAM)。FRAM的优势在于能够在断电后继续保持数据,这与需要备用电池来保持数据的静态RAM(SRAM)不同。这意味着MB85RC256V在电力中断后不会丢失存储的信息。
该芯片的存储配置为32,768个字(每个字8位),总计256K位。它采用两线式串行接口(I2C)进行通信,这意味着只需要SCL和SDA两条线路就可以完成数据的读写操作,简化了硬件设计,并降低了系统复杂性。这种接口使得MB85RC256V适合于那些需要高效能、低功耗存储的嵌入式系统。
MB85RC256V的读写耐久性是其一大亮点,能够承受至少10的12次方次的读写操作,这远高于传统的闪存和EEPROM设备,意味着在频繁写入的应用场景下,其寿命更长。此外,数据保留时间也非常长,在高温环境下仍能保持长时间的数据完整性。
工作频率最高可达1MHz,使得该芯片能够快速响应读写请求,满足实时系统的需求。其电源电压支持2.7V到5.5V的宽电压范围,适应性强,可以用于各种电压环境下的电子设备。低功耗特性是MB85RC256V的另一大优点,尤其对于电池供电或对能源效率有高要求的设备来说,这一特性显得尤为重要。
富士通的MB85RC256V铁电存储器提供了一种高耐用、低功耗且无需备份电池的非易失性存储解决方案,适用于需要稳定、快速、节能存储的多种应用领域,如物联网设备、工业控制系统和便携式电子设备等。
2020-12-09 上传
2020-11-17 上传
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