G3401-VB: SOT23封装P-Channel场效应MOS管,-30V高耐压-5.6A
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更新于2024-08-03
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G3401-VB是一款由VBSEMI公司生产的P-Channel场效应MOS管,采用先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术,具备高效能和高可靠性的特性。该器件采用SOT23封装,这是一种小型表面安装技术(SMT)封装,适合于移动计算设备中的紧凑型设计,如负载开关、笔记本适配器开关以及直流到直流转换器等应用。
这款MOSFET的主要特点包括:
1. 电气规格:
- 额定最大漏源电压 (VDS): -30V,确保在高电压环境中仍能稳定工作。
- RDS(on) 值:在VGS = 10V时典型值为47mΩ,随着VGS电压下降,RDS(on)略有增加,如在VGS = -6V时为49mΩ,这反映了其导通电阻随着栅极电压增大而减小的趋势。
- ID(A)电流:连续工作时,最大可达到-5.6A,在不同温度条件下略有差异,例如在70°C时降为-5.1A。
- 充电电荷Qg(Typ.):在-10V VGS下约为11.4nC,这对于控制电路的快速响应非常重要。
2. 热性能:
- 热管理系统允许在较高功率密度下运行,最大功率损耗在25°C时为2.5W,但会随温度升高而降低,以防止过热。
- 操作和存储温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保了在各种环境条件下的可靠工作。
3. 耐受性与限制:
- 设备在高温下的连续源漏电流限制,如在25°C时IS为-1A。
- PulsedDrainCurrent (IDM) 耐受短暂的峰值电流脉冲,对于瞬间大电流需求的应用是关键参数。
- 提供了热阻抗的典型和最大值,帮助用户评估散热设计。
4. 封装规格:
- 尺寸紧凑,为SOT-23封装,占用空间小,适合于板级集成。
- 图形标注清晰,如S表示源极,D表示漏极,G表示栅极,方便电路设计时识别各引脚。
总结来说,G3401-VB作为一款高性能的P-Channel MOSFET,适用于对低导通电阻、紧凑封装和良好散热性能有高要求的应用。在设计电子系统时,了解并考虑这些规格将有助于确保产品的效能和稳定性。
2024-05-16 上传
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2024-03-20 上传
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