G3401-VB: SOT23封装P-Channel场效应MOS管，-30V高耐压-5.6A

G3401-VB是一款由VBSEMI公司生产的P-Channel场效应MOS管，采用先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术，具备高效能和高可靠性的特性。该器件采用SOT23封装，这是一种小型表面安装技术（SMT）封装，适合于移动计算设备中的紧凑型设计，如负载开关、笔记本适配器开关以及直流到直流转换器等应用。 这款MOSFET的主要特点包括： 1. 电气规格： - 额定最大漏源电压 (VDS): -30V，确保在高电压环境中仍能稳定工作。 - RDS(on) 值：在VGS = 10V时典型值为47mΩ，随着VGS电压下降，RDS(on)略有增加，如在VGS = -6V时为49mΩ，这反映了其导通电阻随着栅极电压增大而减小的趋势。 - ID(A)电流：连续工作时，最大可达到-5.6A，在不同温度条件下略有差异，例如在70°C时降为-5.1A。 - 充电电荷Qg(Typ.)：在-10V VGS下约为11.4nC，这对于控制电路的快速响应非常重要。 2. 热性能： - 热管理系统允许在较高功率密度下运行，最大功率损耗在25°C时为2.5W，但会随温度升高而降低，以防止过热。 - 操作和存储温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了在各种环境条件下的可靠工作。 3. 耐受性与限制： - 设备在高温下的连续源漏电流限制，如在25°C时IS为-1A。 - PulsedDrainCurrent (IDM) 耐受短暂的峰值电流脉冲，对于瞬间大电流需求的应用是关键参数。 - 提供了热阻抗的典型和最大值，帮助用户评估散热设计。 4. 封装规格： - 尺寸紧凑，为SOT-23封装，占用空间小，适合于板级集成。 - 图形标注清晰，如S表示源极，D表示漏极，G表示栅极，方便电路设计时识别各引脚。 总结来说，G3401-VB作为一款高性能的P-Channel MOSFET，适用于对低导通电阻、紧凑封装和良好散热性能有高要求的应用。在设计电子系统时，了解并考虑这些规格将有助于确保产品的效能和稳定性。