STD5N20LT4-VB：N沟道200V MOSFET的详细规格与特性

"STD5N20LT4-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于各种电子设备中的开关和放大应用。" STD5N20LT4-VB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用小型化的DPAK（TO-252）封装，方便在紧凑的电路板空间内安装。这款器件设计用于高效率、低电阻的电源转换和驱动任务。 关键参数如下： 1. ** Drain-Source Voltage (VDS)**：最大额定连续漏源电压为200V，确保了该MOSFET能在高电压环境中稳定工作。 2. **RDS(on)**：在VGS=10V时，漏源导通电阻RDS(on)为0.85欧姆，这代表了在导通状态下流过器件的电阻，越小意味着更低的导通损耗。 3. **Gate-Source Voltage (VGS)**：栅极源电压的最大值为±20V，这是控制MOSFET开关状态的电压。 4. **Continuous Drain Current (ID)**：在25°C下，连续漏电流ID为5.0A，温度升高到100°C时，ID减小到4.0A。 5. **Pulsed Drain Current (IDM)**：脉冲漏电流的最大值为20A，适合短时间大电流的脉冲应用。 6. **Thermal Characteristics**：最大结温TJ为+150°C，这意味着MOSFET能在一定的热环境下工作，但需注意功率耗散和散热设计。 性能指标还包括： - **Qg (Total Gate Charge)**：最大总栅极电荷为13nC，影响开关速度，较小的Qg意味着更快的开关响应。 - **Qgs (Gate-Source Charge), Qgd (Gate-Drain Charge)**：分别为3.0nC和7.9nC，这些参数影响开关损耗和开关速度。 - **Avalanche Ratings**：包括单脉冲雪崩能量EAS（161mJ）、重复雪崩电流IAR（4.8A）和重复雪崩能量EAR（4.2mJ），表明了器件承受雪崩击穿的能力。 - **Maximum Power Dissipation**：在25°C时，最大功率耗散为42W，而在PCB上安装时，由于散热条件不同，最大功率耗散降至2.5W。 在实际应用中，需要注意以下几点： - **脉冲宽度受限于最大结温（参见图11）**，以防止过热。 - **开关测试条件**（如VDD=50V，TJ初始=25°C，L=14mH，Rg=25Ω，IAS=4.8A，参见图12）提供了具体的测试环境。 - **安全操作区**（SOA）的限制，如ID≤5.2A，dI/dt≤95A/μs，VDD≤VDS，TJ≤150°C，确保器件在正常工作范围内。 STD5N20LT4-VB是一款适用于高效率电源管理、电机驱动和开关电源等应用的N沟道MOSFET，其低RDS(on)，小封装和良好的热特性使其成为许多电子设计的理想选择。在实际使用中，应考虑环境温度、散热方案以及电路的瞬态响应，以确保MOSFET的可靠性和长期稳定性。