英飞凌IPD135N08N3G OptiMOS 3高频开关晶体管中文规格手册

IPD135N08N3G是一款由德国英飞凌公司(INFINEON Technologies)生产的OptiMOS TM 3功率晶体管，专为高频开关应用设计，特别适合用于直流/直流转换器中，其性能优异，具有出色的栅极充电效率（FOM）。该器件属于N沟道、正常级，并且通过了100%雪崩测试，符合RoHS标准，确保环保。它已经按照JEDEC标准进行了优化，适用于目标应用，并符合IEC61249-2-21无卤化物要求。 该器件的主要规格包括： 1. **连续漏电流** (ID): 在25°C条件下，持续漏电流为45A，而在100°C时降为39A。对于脉冲工作条件，最大脉冲漏电流在25°C下可达180A。 2. **雪崩能量** (EAS): 单次脉冲雪崩能量为50mJ，当ID为45A，RGS（栅极到源极电压）为25W时测量。 3. **栅极-源极电压** (VGS): 可承受±20V的电压范围。 4. **总功率损耗** (Ptot): 在25°C下，最大功率损耗为79W。 5. **温度范围**: 运行和存储温度在-55°C至175°C之间，符合IEC气候类别DIN IE68-1中的55/175/56要求。 6. **封装** (Package): 采用PG-TO-252-3封装。 7. **标志** (Marking): 型号标记为135N08N，版本号为Rev.2.2，最后更新日期为2014年5月19日。 产品概述包括类型（Type: IPD125N08N3G）、封装形式以及基本的性能参数如最大集电极电压（VDS: 80V），最大导通态电阻（RDS(on), max: 13.5mW）以及典型规格下的漏电流（ID: 45A）。 这些数据提供了IPD135N08N3G晶体管的基础信息，设计者可以依据这些参数来选择或评估这款器件是否适合特定的电源管理或转换电路设计，同时注意在高温和极端环境下的工作表现。