IPD100N06S4-03-VB是一种采用N沟道TO252封装的高性能MOS场效应晶体管(MOSFET),它属于TrenchFET系列,专为高效率、低热阻设计。这款器件在工业应用中表现出色,特别适合那些对功率密度和散热管理有较高要求的场合。
该MOSFET的主要特性包括:
1. **结构特点**:
- **TrenchFET设计**:采用深沟槽技术,能提供出色的开关速度和低栅极损耗,提高电路的响应性和效率。
- **低热阻封装**:TO252封装结构有助于减少元器件内部热量的散失,有利于散热管理。
2. **电气规格**:
- **电压等级**:最大集电极源极电压(VDS)为60V,保证了宽广的工作范围。
- **导通电阻**:在VGS=10V时,RDS(on)为0.0050Ω,显示出低阻值的优势;而在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.0120Ω,适合不同工作点的控制。
- **电流能力**:持续集电极电流(ID)在室温下可达97A,随着温度升高有所下降;单脉冲最大电流(IDM)为290A,单脉冲雪崩电流(IAS)为45A,确保了短路保护功能。
- **能量处理能力**:单脉冲雪崩能量(EAS)为101mJ,表明其能承受一定的过载情况。
3. **安全限制**:
- **脉冲测试**:建议脉冲宽度不超过300μs,占空比不超过2%,确保器件在短时间内工作的稳定性。
- **安装条件**:当安装在1平方英寸(FR-4材料)的PCB上时,需注意参数验证仍在进行中。
4. **温度范围**:
- **操作温度**:工作 junction 温度范围为-55°C至+175°C,存储温度更低,适应各种环境条件。
- **热阻**:提供了junction-to-ambient(热结至环境)的热阻RthJA为50°C/W,以及junction-to-case(热结至封装)的热阻RthJC为1.1°C/W,这对于散热设计至关重要。
总结来说,IPD100N06S4-03-VB是一款高可靠性和高性能的N沟道MOSFET,适用于各种高电压、大电流的应用场景,尤其在电源管理、电机驱动等需要快速开关和高效散热的电子设备中。设计者在选择和使用时,应考虑其电气特性和热管理要求,确保电路的安全与稳定。