FPGA使用Verilog实现SRAM读写
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更新于2024-09-11
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"这篇资源是关于使用Verilog HDL语言编写FPGA上的SRAM读写程序,适用于FPGA设备。"
在数字系统设计中,SRAM(Static Random-Access Memory)是一种常用的数据存储器,它能够保持数据即使在电源关闭后也能保留。在FPGA(Field-Programmable Gate Array)中,SRAM常用于实现高速缓存或配置存储等应用。Verilog HDL(Hardware Description Language)是一种用于描述数字电路的编程语言,适合于FPGA的设计。
在给出的代码段中,`SRAM`模块是Verilog程序的核心部分,它定义了与外部设备交互的各种信号接口,如时钟`H_CLK_50M`、数据总线`H_Dis_Bus`、地址总线`H_Dis_Addr`以及读写控制信号如`H_Dis_WE`(Write Enable)、`H_Dis_OE`(Output Enable)等。这些信号是SRAM与外部世界通信的基础,通过它们可以控制SRAM的读写操作。
`H_CLK_50M`是系统时钟,通常用于同步所有内部操作。`H_Dis_Bus`是一个16位双向总线,用于传输数据到或从SRAM。`H_Dis_Addr`是18位地址总线,决定了访问SRAM中的哪个存储位置。`H_Dis_WE`、`H_Dis_OE`、`H_Dis_UB`、`H_Dis_LB`、`H_Dis_TFT_CS`、`H_Dis_SRAM_CS`和`H_Dis_PHY_CS`是各种控制信号,用于控制读写操作、片选和使能等。
内部变量`TimingDiv[3:0]`可能用于分频或者定时控制,`always @(posedge H_CLK_50M)`语句表示每当`H_CLK_50M`的上升沿到来时,执行其后的逻辑。
`S_RW`输入信号用于决定是读操作还是写操作,`S_Addr`提供内部SRAM的地址选择,`S_Action`可能表示特定的操作,比如初始化或读写请求。`SEL`和`SEL0`可能是用于多路选择器的选择信号,用来选择不同的数据路径或SRAM bank。
此外,代码中没有显示完整的`SRAM`模块,但通常会包含状态机、读写逻辑以及与SRAM阵列接口的部分。完整的实现将包括如何根据地址总线和读写信号来读取或写入SRAM阵列,以及如何处理其他控制信号。
这个Verilog模块是为了实现一个FPGA上的SRAM控制器,它能够管理SRAM的读写操作,并且与其他系统组件进行通信。理解和实现这样的模块是FPGA设计的关键步骤,特别是对于需要快速访问和存储大量数据的应用。
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2022-09-24 上传
2022-07-15 上传
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wskwang
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