BSS84Q-7-F-VB：P-Channel MOSFET晶体管特性与应用

"BSS84Q-7-F-VB 是一款由VBsemi公司生产的P-Channel沟道MOSFET，适用于SOT23封装。该器件的主要特性包括60V的最大额定漏源电压（VDS）、低开启电阻（RDS(ON)）为3000mΩ（在VGS=10V或20V时）、阈值电压Vth为-1.87V。此外，它还具备快速切换速度（20ns典型值），低输入电容（20pF典型值），并且符合RoHS指令。" BSS84Q-7-F-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高侧切换应用。其采用TrenchFET技术，这种技术通过使用沟槽结构来减小晶体管的电阻，从而实现更低的RDS(ON)，这意味着在导通状态下，该MOSFET的内部电阻非常低，能有效降低功耗并提高效率。 在电气特性方面，BSS84Q-7-F-VB具有一个绝对最大额定值为-60V的漏源电压（VDS），确保了在工作时的安全性。门极-源极电压（VGS）的范围是±20V，而连续漏极电流（ID）在25°C时可达到-500mA，在100°C时则限制在-350mA。此外，脉冲漏极电流（IDM）在25°C下可以达到-1500mA，但必须注意，脉冲宽度应不超过300μs，且占空比不超过2%。 该MOSFET的功率耗散（PD）在25°C时最高为460mW，而在100°C时降至240mW。热阻（RthJA）是衡量器件散热性能的指标，BSS84Q-7-F-VB的RthJA为350°C/W，表示每增加1W功率，结温将升高350°C。工作和存储温度范围是-55至150°C，保证了器件在广泛环境温度下的稳定工作。 这款MOSFET的封装形式是SOT23，这是一种小型表面贴装器件，适合在PCB上进行自动化组装。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多技术支持或产品信息。 BSS84Q-7-F-VB是设计用于需要高效、低功耗、快速切换和小型化封装的电子设备的理想选择，特别适合于电源管理、开关电路以及需要低静态电阻的应用场景。其特性如低RDS(ON)和低输入电容有助于提高系统的整体能效和响应速度。