TI的bq76200：高压电池组高侧N沟道MOSFET驱动器

"高侧N沟道金属氧化物半导体 bq76200 是TI公司推出的一款专门用于高压电池组前端充电和放电控制的高侧NFET驱动器。这款芯片设计用于驱动高侧N沟道场效应晶体管，能够有效地管理电池保护，防止接地引脚断开，并确保在电池组保护时实现快速的FET开关操作。bq76200还具备低功耗特性，其预充电功能支持深度耗尽电池的低电流预充，以防止电池过度放电。" bq76200的主要特性包括： 1. **CHG和DSG高侧N沟道金属氧化物半导体**：bq76200提供了独立的CHG和DSG高侧NMOS驱动，用于控制充电和放电FET，确保电池系统的安全操作。 2. **预充电P沟道FET驱动器**：该芯片包含一个预充电P沟道场效应晶体管驱动器，允许对显著耗尽的电池进行限流预充电，避免电池损坏。 3. **独立的数字使能充/放电控制**：通过独立的使能输入，可以分别控制CHG和DSG FET的开启和关闭，增强了系统设计的灵活性。 4. **基于可扩展外部电容的电荷泵**：电荷泵设计可根据不同的并行FET配置调整，适应各种电池系统的需要。 5. **耐高压能力**：器件能够承受高达100V的绝对最高电压，适合高压电池组应用。 6. **内部开关支持电池组电压感测**：bq76200集成了内部开关，便于监测电池组电压，提供准确的电池状态信息。 7. **通用和独立的充/放电路径配置**：支持多种充放电路径配置，满足不同应用的需求。 8. **兼容性**：bq76200设计为与TI的其他电池监控产品（如bq76920/30/40系列）配合使用，也可与主机微控制器或SOC跟踪电量计协同工作。 9. **低功耗**：在正常工作模式下，电流消耗仅为40μA，而在关断模式下，功耗进一步降低，提高了能效。 封装信息显示，bq76200采用5.00mm x 4.40mm封装，尺寸小巧，适合在空间有限的电池管理系统中使用。此外，这款芯片的低外部组件需求简化了电路设计，降低了整体系统成本。 bq76200是一款高效、灵活且功能丰富的高侧NFET驱动器，特别适用于需要精细管理和保护的高压电池系统。它不仅提供了电池充放电的精确控制，还能与其他电池管理组件协同工作，确保整个系统的稳定性和安全性。