静态与动态存储器对比：SRAM vs DRAM

本资源是关于“静态和动态存储器芯片特性”的课件，涵盖了存储器的基本概念，包括静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)的对比，以及存储器的分类，如只读存储器(ROM)的介绍，半导体读写存储器，存储器的字位扩展和性能提升方法。 在计算机组成原理中，存储器扮演着至关重要的角色。主存储器，通常指的是RAM，是计算机运行中存储程序和数据的主要部分。它通过地址总线AB、数据总线DB和控制总线CB与CPU交互。地址总线的位数决定了最大内存空间，数据总线的位数则影响数据传输速率。RAM分为两类：静态RAM和动态RAM。 静态RAM(SRAM)利用触发器来存储信息，因此不需要刷新，读取数据不会破坏原有信息，速度较快但集成度较低，发热量大，存储成本高。SRAM常用于高速缓存(Cache)。 动态RAM(DRAM)则依赖电容存储信息，由于电容会逐渐漏电，所以需要定期刷新，读取操作具有破坏性，速度相对较慢，但其集成度更高，发热量小，存储成本较低。DRAM更适合用作系统主存。 只读存储器(ROM)是一种非易失性存储器，其中的信息在制造时写入，并且在正常操作中不能被修改。常见的ROM类型有掩膜式ROM、PROM、EPROM和EEPROM。ROM主要用于存储固定的系统程序或数据，例如BIOS。 只读存储器ROM的实现方式多样，如掩膜式ROM是在生产过程中预先编程的，而PROM可以通过特殊设备一次性写入，之后不可更改。EPROM是电可擦除的，可以通过紫外线照射擦除，而EEPROM则是电子擦除，可以多次重复编程。 在实际应用中，存储器的性能提升可以通过多种途径实现，比如字位扩展来增加存储容量，或者采用更高效的存储技术如SRAM和DRAM的混合使用，以及使用高速缓冲技术等。 总结起来，这个课件深入讲解了存储器的基础知识，包括静态和动态RAM的区别，以及只读存储器的不同类型和实现方式，对理解计算机存储体系有极大的帮助。