ST3422AS23RG-VB: N沟道60V SOT23-3L封装高性能MOS管
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更新于2024-08-03
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ST3422AS23RG-VB是一种高性能的N沟道SOT23-3L封装金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由ST公司生产。它采用先进的Trench FET技术,旨在提供高效能、低损耗和环保特性。
这款MOSFET的主要特点包括:
1. **高耐压**:该器件具有60V的Drain-Source电压等级(VDS),确保在高电压应用中具有出色的性能。
2. **低导通电阻**:在VGS=10V时,其典型导通电阻RDS(on)为0.030Ω,而在VGS=4.5V时,这一值降低到0.033Ω,这表明它在不同工作条件下具有出色的开关效率。
3. **严格的测试标准**:100% Rg和100% UIS测试确保了器件的一致性和可靠性。
4. **封装形式**:SOT23-3L封装使得该MOSFET适合于小型化电路设计,便于集成到各种板级应用中。
5. **应用范围广泛**:ST3422AS23RG-VB适用于电池开关、DC/DC转换器等电源管理领域,尤其是在需要高效能和紧凑空间的场合。
6. **温度兼容性**:工作温度范围宽广,从-55°C到150°C,满足不同环境条件下的稳定运行。此外,还提供了脉冲电流限制,如连续和单脉冲avalanche电流以及能量限制,以防止过热。
7. **功率处理能力**:在25°C下,最大功率耗散为1.66W,随着温度升高,功率能力有所下降,但在70°C时仍保持一定的效能。
8. **散热设计**:有明确的热阻值,如从Junction到环境的热阻,有助于评估实际散热需求和系统设计。
ST3422AS23RG-VB是一款针对特定应用设计的高性能N沟道MOSFET,它在低功耗、高耐压和可靠性的基础上,提供了优秀的温度适应性和小型化解决方案。在选择或设计电路时,了解这些关键参数是至关重要的,以确保系统的稳定运行和最佳性能。
2023-12-18 上传
2024-01-02 上传
2024-01-02 上传
2024-01-02 上传
2023-12-25 上传
2023-12-29 上传
2023-12-25 上传
2023-12-27 上传
2023-12-19 上传
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