USB3300芯片存储器编程规范详解

"USB3300芯片的手册涵盖了存储器编程的要求，主要涉及直流特性以及在不同工作条件下的参数规格。这些参数对于理解和正确使用该芯片进行存储器编程至关重要。" 在存储器编程方面，USB3300芯片有特定的操作条件。例如，程序存储器编程规范中，MCLR/VPP/RE3引脚上的电压需在8.0到9.0伏之间（D110），这是保证编程过程正常进行的关键。在编程过程中，供电电流（IDDP）需要保持在大约10毫安（D111）。此外，对于批量擦除，VDD电压应介于2.7到最大VDD值之间（D112）。写入或行擦除的VDD电压要求在最小VDD到最大VDD之间（D113）。擦写期间，MCLR/VPP引脚上的电流（IPPPGM）和VDD上的电流（IDDPGM）分别不超过1.0毫安和5.0毫安（D114和D115）。 数据EEPROM存储器的耐久性和操作条件也非常重要。每个字节的耐用性至少为100,000次擦写（E/W）循环（D116）。读/写操作所需的VDD电压应该在VDD的小值和大值之间（D117）。擦写周期（TDEW）通常在4.0到5.0毫秒之间（D118）。特性保持时间（TRETD）长达40年，前提是无其他规范被违反（D119）。刷新前的总擦写周期数（TREF）应在100万到1千万次之间（D120）。 对于闪存程序存储器，电池的耐用性（EP）可以承受10,000次E/W循环（D121）。读操作的VDD电压同样在VDD的小值到大值之间（D122）。写周期（TIW）自定时，通常在2到2.5毫秒之间（D123）。特性保持时间（TRETD）依旧为40年以上（D124）。 注意，所有这些参数的典型值在3.0伏特和25摄氏度条件下给出，仅作为设计参考，并未进行实际测试。对于某些特性，如VPP的变化，某些编程工具如MPLAB ICD 2可能不支持，需要额外的电路来限制VPP电压。 这些详细规格适用于PIC16F1937这样的微控制器，它是一款带有LCD驱动器的8位CMOS闪存单片机，采用nanoWatt XLP技术，具有28/40/44引脚配置。在使用此类设备时，必须遵循这些编程要求，以确保设备的可靠性和数据安全性。同时，Microchip Technology Inc. 提醒用户，中文版本的文档仅供参考，重要信息应以英文原版为准，并且用户应对基于这些信息的应用负责。此外，Microchip不对知识产权的任何未经授权的转让给予许可。