SOT23 封装 N-Channel 场效应 MOS 管 CHM2304PT-VB 参数及应用

CHM2304PT-VB是一款SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，具有高性能和高可靠性的特点。 标题解释：CHM2304PT-VB是一款N-Channel场效应MOS管，封装在SOT23封装中，具有高性能和高可靠性的特点。 描述解释：CHM2304PT-VB的描述中提到该MOS管的主要参数，如工作电压为30V，最大漏电流为6.5A，漏电阻为30mΩ@VGS=10V和VGS=20V，阈值电压为1.2~2.2V。 标签解释：该MOS管的标签为"mosfet vbsemi"，表明该MOS管是由VB Semi公司生产的。 应用场景：CHM2304PT-VB的应用场景包括DC/DC Converter等领域，该MOS管的高性能和高可靠性使其广泛应用于各种电子设备中。 主要特点：CHM2304PT-VB具有以下主要特点： * Halogen-free：该MOS管不含卤素，符合环保要求。 * TrenchFET PowerMOSFET：该MOS管采用renchFET技术，具有高性能和高可靠性。 * 100% Rg Tested：该MOS管已经经过了严格的测试，确保其性能和可靠性。 * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC：该MOS管符合RoHS指令，确保其符合环保要求。 电气特性：CHM2304PT-VB的电气特性包括： * 漏电压（VDS）：30V * 漏电流（ID）：6.5A * 漏电阻（RDS(on)）：30mΩ@VGS=10V和VGS=20V * 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V * Gate-Source Voltage（VGS）：±20V * 连续漏电流（ID）：6.5A * 脉冲漏电流（IDM）：25A * 连续源漏电流（IS）：1.4A * 最大功率损耗（PD）：1.7W * 工作温度范围：-55°C to 150°C * 储存温度范围：-55°C to 150°C 热设计：CHM2304PT-VB的热设计包括： * 热阻（Rth）：130°C/W * 最大热设计电流（ID）：6.5A * 热设计电压（VDS）：30V 焊接推荐：CHM2304PT-VB的焊接推荐包括： * 焊接温度：260°C * 焊接时间：5s CHM2304PT-VB是一款高性能和高可靠性的N-Channel场效应MOS管，广泛应用于DC/DC Converter等领域。