优化六氟化硫/氩混合气体刻蚀：氧化镓薄膜性能提升的关键

该篇论文标题为"论文研究-氧化镓干法刻蚀研究", 主要由张超、夏晓川等人合作完成，发表于中国科技论文在线。研究焦点在于探索氧化镓薄膜的干法刻蚀工艺，特别使用了感应耦合等离子体刻蚀设备。研究对象是外延生长在蓝宝石衬底上的氧化镓薄膜，刻蚀过程中采用了六氟化硫(SF6)和氩气(Ar)作为刻蚀气体。 作者们通过调整这两种气体的输入流量比，系统地考察了其对氧化镓薄膜刻蚀速率、表面形貌以及结晶质量和光学特性的影响。实验结果显示，当六氟化硫和氩气的流量比为15:5时，氧化镓薄膜的刻蚀速率达到了最优状态。同时，优化后的刻蚀工艺使得刻蚀后的氧化镓薄膜表面粗糙度降低，紫外光透射率提高，这对于拓宽氧化镓器件的应用范围有着显著的推动作用。 这篇论文不仅提供了具体的刻蚀参数优化策略，还展示了干法刻蚀技术在氧化镓薄膜处理中的实用价值，对于半导体材料科学、微电子器件制造以及光电子器件设计等领域都具有重要的理论参考价值和实践指导意义。此外，通讯联系人申人升教授的高级工程师身份及主要研究方向——宽带隙半导体材料制备，表明这项工作是在该领域资深专家的指导下进行的。 论文的关键字包括“氧化镓”、“干法刻蚀”、“感应耦合等离子体刻蚀”以及“刻蚀速率”，这些词汇揭示了文章的核心研究内容和技术路线。总体来说，这是一篇深入探讨氧化镓薄膜干法刻蚀工艺优化的学术论文，对于提升氧化镓器件性能和推动相关技术发展具有积极的意义。