SanDisk独家256GB NAND Flash Datasheet: Confidential Preview Rev. 0...

本资料是SanDisk公司的独家内部规格书，标题为"NAND Flash 1ynm 64GB 2-Plane 3bpc Legacy and Toggle Mode"。这份文档详细介绍了由SanDisk制造的1纳米（1Ynm）级64GB的2-Plane NAND闪存技术，特别关注了其在Legacy和Toggle模式下的性能特性。由于是预览版本（Revision 0.3），这表明它可能还在开发阶段，并且可能会有所更新，但未经正式发布。 该规格书的重点内容包括但不限于以下几个方面： 1. **技术细节**：1ynm技术代表着极小的晶体管尺寸，这是现代闪存存储器的前沿技术，它允许在有限的空间内存储大量数据。2-Plane设计指的是存储单元的结构，而3bpc（bits per cell）则表示每个存储单元可以存储的信息量，这直接影响了存储密度和性能。 2. **工作模式**：Legacy模式通常用于旧设备兼容性，而Toggle模式可能是为了提高数据读写速度和能效。切换这两种模式可能会影响功耗、响应时间和整体性能。 3. **封装形式**：文档提到了两种封装方式，即TSOP (Thin Small Outline Package) 和 BGA (Ball Grid Array)，这意味着这些NAND闪存芯片可以适应不同的应用环境，如嵌入式系统和主板集成。 4. **市场编号**：SDTNRIAMA-008GK是其中一个具体的市场编号，可能是针对特定产品系列或型号，TBD（To Be Determined）则表示某些信息尚未确定。 5. **责任声明**：用户需注意，此规格书仅限于客户内部使用，不得外泄。并且，它还强调了使用该技术的设备可能存在的限制，如医疗、航空、核能等高风险领域，以及可能导致财产损失、人身伤害或死亡的应用，用户需自行确保合规性和安全性。 6. **版权与更新**：所有内容受SanDisk Corporation的版权保护，且随时可能因安全、环保、出口法规等因素进行修改或更新。因此，使用该规格时应保持对最新修订版的了解。 这份SanDisk 1ynm 64GB NAND闪存规格书提供了深入的技术细节和使用注意事项，对于理解这一高级别存储技术及其潜在应用场景具有重要价值。