SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管AFC4599WS8RG-VB

AFC4599WS8RG-VB N+P-Channel 场效应 MOS 管的技术参数和应用场景概述 AFC4599WS8RG-VB 是一款 SOP8 封装的 N+P-Channel 场效应 MOS 管，由 VBSEMI 公司生产。下面是该产品的技术参数和应用场景概述： 技术参数 * 封装：SOP8 * 额定电压：±40V * 额定电流：8/-7A * 转换电阻（RDS(ON)）：15/19mΩ@VGS=10V，VGS=20V * 门限电压（Vth）：±1.8V 特性 * 无卤素（Halogen-free） * 符合 RoHS 指令 2002/95/EC * 100% Rg 和 UI 测试 * TrenchFET® Power MOSFET 应用场景 * 电机驱动（Motor Drive） 绝对最大额定参数 * 漂移源电压（VDS）：-0V * 门源电压（VGS）：±20V * 连续漏极电流（ID）：7.6A（N-Channel），-6.8A（P-Channel） * 脉冲漏极电流（IDM）：30A * 源漏极电流（IS）：3.6A * 单脉冲雪崩电流（IAS）：20A * 单脉冲雪崩能量（EAS）：20mJ thermal CHARACTERISTICS * junction-to-ambient thermal resistance（RθJA）：120°C/W（N-Channel），110°C/W（P-Channel） 应用注意 * 基于 TC=25°C 的测试结果 * 表面安装在 1"x1" FR4 板上 * 测试时间为 10s * 最大稳态温度条件下的热阻为 120°C/W（N-Channel）和 110°C/W（P-Channel） * 封装限制 AFC4599WS8RG-VB 是一款高性能的 N+P-Channel 场效应 MOS 管，适用于电机驱动和其他高电压、高电流的应用场景。