窄线宽776 nm半导体激光源：实现与铷蒸气激光器影响研究

"这篇科研文章探讨了窄线宽776纳米激光器的实现及其对铷蒸气激光器性能的影响。研究中提到，半导体抽运碱金属蒸气激光器（DPAL）作为一种新型高能激光源，其在高功率抽运情况下，铷原子可能因电离而对激光性能产生不利影响。特别是，铷原子的电离过程主要由抽运光谱（中心波长780纳米）的远翼776纳米成分引发的5S至5P再到5D的级联效应及随后的光电离过程导致。" 文章中详细介绍了如何通过Littrow结构来实现窄线宽776纳米半导体激光输出。Littrow结构是一种常见的外腔设计，它能够有效地提高激光的单色性和稳定性。实验结果显示，所构建的激光器线宽小于0.15纳米，输出功率超过10瓦，外腔效率高达67%，这些特性使其成为模拟780纳米抽运光远翼光谱的理想光源。 研究人员利用这款776纳米激光器进行780纳米和776纳米的级联抽运实验，观测到了荧光信号的显著增强。这种增强的荧光信号表明，776纳米激光对铷原子的电离过程有显著影响，可能是通过增强5S至5P和5P至5D的跃迁概率，从而影响了铷DPAL的工作状态。这对于定量测量铷DPAL的电离程度和理解高功率抽运条件下的激光器性能至关重要。 关键词涉及激光器技术、碱金属蒸气激光器、外腔半导体激光器的特殊设计以及窄线宽激光器的重要性。中图分类号将其归类于光学领域，文献标识码A表示这是一篇原创性的科研论文。通过doi:10.3788/LOP52.031402，读者可以追踪到原始研究的详细信息。 这项工作揭示了776纳米激光器在研究和优化DPAL性能方面的潜在应用，特别是在高功率操作环境下，对于理解和控制铷蒸气激光器的电离过程提供了新的途径。这一研究对于激光科学、量子光学以及相关领域的研究者具有重要的参考价值。