SDM9433-VB MOSFET:P沟道SOP8封装的关键参数分析
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更新于2024-08-03
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SDM9433-VB是一款P沟道MOSFET,采用SOP8封装,常用于各种电子设备的电源管理、开关控制等应用中。该器件的关键特性包括其耐压能力、导通电阻、电荷量以及最大功率耗散。
SDM9433-VB的核心参数如下:
1. **耐压(VDS)**:其额定的漏源电压(Drain-Source Voltage, VDS)为-20V,这意味着它可以承受的最大反向电压为20V。
2. **导通电阻(RDS(on))**:在不同的栅源电压(Gate-Source Voltage, VGS)下,RDS(on)有所不同。例如,当VGS=-4.5V时,典型值为0.015Ω;VGS=-2.5V时,典型值为0.021Ω;而VGS=-1.8V时,典型值为0.040Ω。导通电阻是衡量MOSFET在导通状态下的内阻,直接影响其作为开关的效率和发热情况。
3. **电荷量(Qg)**:Qg是栅极总电荷,表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量,对于SDM9433-VB,典型值分别为20nC (VGS=-4.5V) 和20nC (VGS=-2.5V),这影响到开关速度和动态性能。
4. **连续漏电流(ID)**:在不同温度下,SDM9433-VB的连续漏源电流有不同的限制。具体数值因条件而异,例如,TJ=150°C时未给出明确值,而在TC=25°C时未给出确切值,但表示在特定条件下可能受到封装限制。
5. **脉冲漏电流(IDM)**:最大脉冲漏源电流可达-50A,这允许SDM9433-VB在短时间内处理大电流。
6. **源漏二极管电流(IS)**:在TC=25°C时,连续源漏二极管电流为-6A,这表明MOSFET内部集成的体二极管可作为电流路径。
7. **最大功率耗散(PD)**:在不同温度下,器件的最大功率耗散不同,如TC=25°C时为19W,而TC=70°C时则降低至12W,这关系到器件的散热设计。
8. **工作和存储温度范围**:结温和储存温度范围为-55℃至150℃,确保了SDM9433-VB在宽温范围内工作的可靠性。
此外,对于封装和热特性:
- **建议不要对无引脚组件进行手动烙铁焊接**,因为这可能会对组件造成损坏。
- **热阻(RthJA)**:这是衡量器件从芯片到周围环境的热传导效率,对于SDM9433-VB,在t≤5s的情况下,最大典型值为36°C/W,这意味着每增加1W的功耗,芯片与环境间的温差会升高36°C。
- **焊锡推荐**:建议的最大峰值温度为260℃,以确保安全的焊接过程。
在实际应用中,了解这些参数至关重要,因为它们决定了SDM9433-VB在电路中的性能表现,比如开关效率、功耗控制、散热设计以及工作稳定性。选择合适的MOSFET,需要综合考虑其电气特性和应用需求,以确保设备的可靠性和效率。
2024-05-30 上传
2024-05-29 上传
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