AP9435GG-VB:P沟道MOSFET,SOT89-3封装技术参数
87 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 382KB PDF 举报
"AP9435GG-VB是一款P沟道的SOT89-3封装MOSFET,适用于负载开关和电池开关等应用。该器件采用TrenchFET®技术,符合IEC61249-2-21的无卤素标准,并且100%通过了栅极电阻测试。主要参数包括:最大漏源电压VDS为-30V,栅源电压VGS为±20V,不同温度下的连续漏极电流ID在-7.6A到-5.2A之间变化,脉冲漏极电流IDM为-35A,连续源漏二极管电流IS为-3.5A。最大功率耗散在25°C时为6.5W,而热阻典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。"
AP9435GG-VB是一款由先进半导体技术制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了创新的TrenchFET®结构,这种技术通过在硅片上蚀刻出微小的沟槽来减小导电路径的电阻,从而实现更低的开启电阻(RDS(on))和更好的热性能。这使得AP9435GG-VB在低电压、高电流应用中表现出优异的效率和控制特性。
该器件的无卤素特性表明它符合环保标准,适合在现代电子设备中使用。100%的Rg测试确保了每个器件的栅极电阻一致性,这对于控制MOSFET的开关速度和稳定性至关重要。AP9435GG-VB的设计考虑了各种工作条件,例如其在不同温度下的连续漏极电流ID有不同的规格,以适应广泛的应用场景。
在应用方面,AP9435GG-VB特别适用于负载开关,可以有效地控制电路的通断,同时由于其P沟道特性,在没有电源电压时自然关闭,避免了不必要的电流消耗。此外,电池开关也是其应用场景之一,它能够安全地打开或关闭电池供电的电路,而不会引起不必要的电源冲击。
在热管理方面,AP9435GG-VB的最大结温范围是-55°C至150°C,允许它在相对宽的温度范围内工作。最大结壳热阻RthJA在10秒脉冲条件下典型值为40°C/W,这意味着当器件从结温传递到环境空气时,每瓦功率会导致器件温度升高40°C。这个数值对于设计者来说非常重要,因为它决定了器件在高功率运行时如何有效地散热。
AP9435GG-VB是一款高性能、环保的P沟道MOSFET,适用于需要高效、可靠开关功能的电子设备。其小巧的SOT89-3封装使得它在空间有限的电路板设计中尤为适用。设计者在选用这款MOSFET时,需充分考虑其电气参数和热特性,以确保在实际应用中实现最佳性能和稳定性。
2023-12-19 上传
2023-12-28 上传
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
2023-06-13 上传
2023-07-14 上传
2023-09-17 上传
2023-09-05 上传
2023-07-28 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/e85b6214c4054bb096aa50ef2573adda_vbsemi_mosfet.jpg!1)
VBsemi_微碧半导体
- 粉丝: 8121
- 资源: 2368
最新资源
- Hadoop生态系统与MapReduce详解
- MDS系列三相整流桥模块技术规格与特性
- MFC编程:指针与句柄获取全面解析
- LM06:多模4G高速数据模块,支持GSM至TD-LTE
- 使用Gradle与Nexus构建私有仓库
- JAVA编程规范指南:命名规则与文件样式
- EMC VNX5500 存储系统日常维护指南
- 大数据驱动的互联网用户体验深度管理策略
- 改进型Booth算法:32位浮点阵列乘法器的高速设计与算法比较
- H3CNE网络认证重点知识整理
- Linux环境下MongoDB的详细安装教程
- 压缩文法的等价变换与多余规则删除
- BRMS入门指南:JBOSS安装与基础操作详解
- Win7环境下Android开发环境配置全攻略
- SHT10 C语言程序与LCD1602显示实例及精度校准
- 反垃圾邮件技术:现状与前景