英飞凌IPB60R280P7 CoolMOS P7中文规格书：高效能功率晶体管

"IPB60R280P7 INFINEON 英飞凌芯片是英飞凌科技公司推出的第六代CoolMOS P7系列高压功率MOSFET，这款器件采用革命性的超结（Superjunction）技术设计。与前一代P6系列相比，它在快速开关、易用性、耐用性和能效方面有显著提升。" 本文档详细介绍了IPB60R280P7 MOSFET的主要特性和应用。首先，该芯片采用D²PAK封装，具有三个引脚，分别为源极（Pin3）、栅极（Pin1）和漏极（Pin2）。作为一款600V的CoolMOS P7功率晶体管，它特别适合硬开关和软开关应用，如功率因数校正（PFC）和谐振转换器（LLC）。 关键特性包括： 1. **出色的耐换流能力**：由于其卓越的换流坚固性，IPB60R280P7适用于各种开关模式，能够承受高应力的换流条件，降低了在高电压应用中的故障风险。 2. **显著降低的开关和传导损耗**：通过优化的结构设计，该MOSFET的开关损耗和导通损耗都得到了显著降低，这使得在开关电源等应用中，能实现更高的效率，设备更紧凑，发热量更小。 3. **优秀的静电放电（ESD）鲁棒性**：所有产品均具有超过2kV的人体模型（HBM）ESD防护等级，这确保了在生产和使用过程中对静电敏感元件的保护，提高了整体系统的可靠性。 4. **优化的RDS(on)/封装比**：相比于前一代产品，IPB60R280P7在同样封装尺寸下提供了更好的导通电阻性能，这意味着在相同电流条件下，器件的热损耗更低，散热性能更好。 此外，这款MOSFET还具备低振铃倾向，这意味着在开关操作时，电路的电压振荡将减至最小，有助于提高系统稳定性。其强大的体二极管在硬换流条件下表现出色，减少了反向恢复电流的影响，降低了损耗。 IPB60R280P7英飞凌CoolMOS P7是一款高性能、高效、易用的功率MOSFET，广泛应用于电力电子设备，包括但不限于电源转换、电机控制、LED驱动、光伏逆变器等领域。由于其在能效和可靠性的改进，它是设计者优化系统性能和缩小电路板空间的理想选择。