2SK2910-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"2SK2910-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。其主要特点是采用TrenchFET技术，具有低RDS(ON)，高效率和符合RoHS标准。" 2SK2910-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道场效应MOSFET，其设计采用了先进的TrenchFET技术，以实现更小的尺寸、更低的电阻和更高的功率密度。这款MOSFET在SOT23封装下提供了20V的耐压能力，能够承受最大20V的漏源电压（VDS），并能通过连续6A的电流（ID）。 关键性能参数包括RDS(ON)，这是衡量MOSFET导通时电阻的关键指标。在不同的栅极电压下，RDS(ON)有所不同：当VGS为4.5V时，RDS(ON)典型值为24mΩ，而在8.8V时，RDS(ON)上升至42mΩ，进一步提高VGS到1.8V时，RDS(ON)则为50mΩ。这些数值均基于封装限制，实际应用中可能因安装基板的热特性而有所不同。 此外，该器件还经过了100%的Rg测试，确保了其栅极电阻的稳定性和一致性。它符合RoHS指令，不含卤素，满足环保要求。2SK2910-VB适用于各种电源管理应用，如DC/DC转换器，特别是在需要高效、小型化负载开关的便携式设备中。 在绝对最大额定值方面，2SK2910-VB的栅源电压VGS允许在±12V范围内，而连续漏源电流ID在温度为150°C时为6A，但这个值会随温度升高而降低。脉冲漏源电流IDM可达20A，而连续源漏二极管电流IS为1.75A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，70°C时为1.3W，这同样受到环境温度的影响。工作和存储的结温范围为-55至150°C。 2SK2910-VB以其小巧的封装、优秀的导通电阻和广泛的额定值，成为低功耗、高性能电子设备的理想选择，特别是在要求严格的电源管理和电池供电的便携式设备中。