FNK10N25B-VB：2通道TSSOP8封装MOS管详解

本文档介绍的是FNK10N25B-VB型号的2个N沟道TSSOP8封装MOS管，该器件是采用先进的Trench FET技术制造的功率MOSFET，特别注重环保，提供了无卤素选项。主要特点包括： 1. **特性：** - **无卤素选项**：确保了在环保要求日益严格的电子设计中，产品符合RoHS标准，可能存在豁免情况。 - **Trench FET结构**：利用深度沟槽工艺，提供高效能和低导通电阻（RDS(on)）。 2. **产品概览：** - **电压参数**： - 阳极-阴极电压（VDS）最高可达30V，门极-源极电压（VGS）可承受±20V。 - 额定条件下，连续漏极电流（ID）在25°C时为8.6A，在70°C下为7.5A。 - **脉冲电流能力**：最大集电极脉冲电流（IDM）为30A。 - **源极电流**：连续源极电流（IS）在25°C时为1.5A。 - **最大功率消耗**：在不同温度下，最大功率损耗有明确的限制。 3. **温度范围：** - 操作和储存温度范围为-55°C至150°C。 - 提供了热阻抗值，如Junction-to-Ambient（热结温与环境温差）典型值为72°C/W，SteadyState条件下为100°C/W，以及Junction-to-Foot（热结温与脚温差）的热阻。 4. **合规性声明**： - 产品支持Pb-free（无铅）设计，并符合RoHS标准，但可能存在某些豁免条件。 5. **封装形式**： - 采用TSSOP-8封装，方便表面安装在FR4板上，要求不超过10秒的热时间常数。 6. **制造商信息**： - 由VBsemi公司生产，网站地址为www.VBsemi.com。 FNK10N25B-VB是一款高性能、紧凑型的N沟道MOSFET，适用于各种需要高效率和低功耗的电源管理、开关和驱动应用，且在设计和制造过程中注重环保与合规性。