FNK10N25B-VB:2通道TSSOP8封装MOS管详解
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更新于2024-08-03
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本文档介绍的是FNK10N25B-VB型号的2个N沟道TSSOP8封装MOS管,该器件是采用先进的Trench FET技术制造的功率MOSFET,特别注重环保,提供了无卤素选项。主要特点包括:
1. **特性:**
- **无卤素选项**:确保了在环保要求日益严格的电子设计中,产品符合RoHS标准,可能存在豁免情况。
- **Trench FET结构**:利用深度沟槽工艺,提供高效能和低导通电阻(RDS(on))。
2. **产品概览:**
- **电压参数**:
- 阳极-阴极电压(VDS)最高可达30V,门极-源极电压(VGS)可承受±20V。
- 额定条件下,连续漏极电流(ID)在25°C时为8.6A,在70°C下为7.5A。
- **脉冲电流能力**:最大集电极脉冲电流(IDM)为30A。
- **源极电流**:连续源极电流(IS)在25°C时为1.5A。
- **最大功率消耗**:在不同温度下,最大功率损耗有明确的限制。
3. **温度范围:**
- 操作和储存温度范围为-55°C至150°C。
- 提供了热阻抗值,如Junction-to-Ambient(热结温与环境温差)典型值为72°C/W,SteadyState条件下为100°C/W,以及Junction-to-Foot(热结温与脚温差)的热阻。
4. **合规性声明**:
- 产品支持Pb-free(无铅)设计,并符合RoHS标准,但可能存在某些豁免条件。
5. **封装形式**:
- 采用TSSOP-8封装,方便表面安装在FR4板上,要求不超过10秒的热时间常数。
6. **制造商信息**:
- 由VBsemi公司生产,网站地址为www.VBsemi.com。
FNK10N25B-VB是一款高性能、紧凑型的N沟道MOSFET,适用于各种需要高效率和低功耗的电源管理、开关和驱动应用,且在设计和制造过程中注重环保与合规性。
2024-07-18 上传
2024-07-18 上传
2024-07-17 上传
2024-07-17 上传
2024-07-17 上传
2024-07-17 上传
2024-07-18 上传
2024-07-18 上传
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