0.18μm CMOS工艺下STI加固NMOS器件的总剂量抗辐射效果

本文主要探讨了"STI场区加固NMOS器件总剂量效应"这一主题，针对0.18微米CMOS工艺，研究人员开发了一种浅槽隔离（STI）场区抗辐射加固技术。浅槽隔离是一种在半导体制造过程中用于增强晶体管隔离的技术，通过在硅片上创建浅槽来减少邻近器件间的相互影响。 作者们采用离子注入技术，特别关注STI/衬底界面处的P型硅区域，通过提升该区域的反型阈值电压，有效地增强了NMOS（互补金属氧化物半导体）器件的抗辐射性能。在实验中，他们观察到加固后的NMOS器件在承受高达500千拉德（Si）剂量时，阈值电压保持稳定，几乎没有漂移，而漏电流仍然保持在10^-12数量级，这显示出显著的抗辐射特性，远优于未加固的器件。 STI场区加固技术的优势在于，它不仅可以增强设备的辐射抗性，而且不会显著增加芯片的面积，这对于在高辐射环境下运行的电子设备，如航天器和军事应用来说，具有重要的实际意义。通过对这种技术的研究，电路设计师可以更好地设计出能在辐射环境下保持稳定性能的系统，这对于保障电子设备在极端环境下的可靠性和耐用性至关重要。 关键词包括辐射加固、总剂量效应、浅槽隔离和0.18微米CMOS工艺，这些关键词反映了文章的核心研究内容和领域。文章的索引代码为TN386.1，文献类型为A，表明这是一篇学术论文，并且通过DOI（数字对象唯一标识符）10.11805/TKYDA201605.0805，读者可以追踪和获取这篇论文的详细信息。本文提供了一个实用的解决方案，帮助工程师们提高集成电路对辐射的抵抗力，对于电子设备的设计和制造具有重要参考价值。