TN0200K-T1-E3-VB MOSFET:20V N沟道SOT23封装电源应用
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更新于2024-08-03
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"TN0200K-T1-E3是一款N沟道MOSFET,采用SOT23封装,适用于20V工作电压,具备低RDS(ON)特性,适合在直流/直流转换器和便携式设备的负载开关应用中使用。其主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。"
TN0200K-T1-E3是一款由N沟道技术制造的MOSFET,设计用于处理高达20V的漏源电压(VDS)。该器件的最大特点是其低导通电阻(RDS(ON)),在4.5V的栅极-源极电压(VGS)下,RDS(ON)仅为28mΩ,这使得它在高效率电源转换和开关应用中表现出色。同时,这款MOSFET在2.5V的VGS下,RDS(ON)为42mΩ,而在1.8V的VGS下,RDS(ON)为50mΩ。低RDS(ON)意味着在导通状态下,器件的功率损耗较低,因此更适合于需要高效能和低功耗的系统。
该MOSFET的封装形式是SOT23,这是一种小型表面贴装封装,适合在有限空间内的电路板布局。此外,TN0200K-T1-E3通过了100%的栅极电阻测试,确保了可靠性和一致性。该器件还符合RoHS指令2002/95/EC,这意味着它不含六价铬、铅、汞、镉等有害物质,符合环保标准。
在应用方面,TN0200K-T1-E3被推荐用于DC/DC转换器,特别是那些需要高效能和紧凑尺寸的场合。同时,由于其低RDS(ON),它也适合作为便携式设备如手机、平板电脑等的负载开关,能够在控制电流流动的同时保持低功耗。
在规格参数上,连续漏极电流(ID)在25°C时可达6A,但随着温度升高,ID会有所下降。脉冲漏极电流(IDM)为20A,表明它可以承受短暂的大电流冲击。此外,连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为1.75A,显示了其作为二极管的功能。最大功率耗散(PD)在25°C时为2.1W,但在不同温度下会有变化。操作结温及储存温度范围为-55°C至150°C,确保了器件在宽温范围内工作的稳定性。
总结来说,TN0200K-T1-E3是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,适用于对效率和尺寸有严格要求的电源管理电路,特别是直流/直流转换器和便携式电子设备。其出色的电气特性,加上紧凑的封装和环保设计,使其成为许多现代电子产品的理想选择。
2023-11-20 上传
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