TN0200K-T1-E3-VB MOSFET：20V N沟道SOT23封装电源应用

"TN0200K-T1-E3是一款N沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于20V工作电压，具备低RDS(ON)特性，适合在直流/直流转换器和便携式设备的负载开关应用中使用。其主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。" TN0200K-T1-E3是一款由N沟道技术制造的MOSFET，设计用于处理高达20V的漏源电压（VDS）。该器件的最大特点是其低导通电阻（RDS(ON)），在4.5V的栅极-源极电压（VGS）下，RDS(ON)仅为28mΩ，这使得它在高效率电源转换和开关应用中表现出色。同时，这款MOSFET在2.5V的VGS下，RDS(ON)为42mΩ，而在1.8V的VGS下，RDS(ON)为50mΩ。低RDS(ON)意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，因此更适合于需要高效能和低功耗的系统。 该MOSFET的封装形式是SOT23，这是一种小型表面贴装封装，适合在有限空间内的电路板布局。此外，TN0200K-T1-E3通过了100%的栅极电阻测试，确保了可靠性和一致性。该器件还符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含六价铬、铅、汞、镉等有害物质，符合环保标准。 在应用方面，TN0200K-T1-E3被推荐用于DC/DC转换器，特别是那些需要高效能和紧凑尺寸的场合。同时，由于其低RDS(ON)，它也适合作为便携式设备如手机、平板电脑等的负载开关，能够在控制电流流动的同时保持低功耗。 在规格参数上，连续漏极电流（ID）在25°C时可达6A，但随着温度升高，ID会有所下降。脉冲漏极电流（IDM）为20A，表明它可以承受短暂的大电流冲击。此外，连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为1.75A，显示了其作为二极管的功能。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，但在不同温度下会有变化。操作结温及储存温度范围为-55°C至150°C，确保了器件在宽温范围内工作的稳定性。 总结来说，TN0200K-T1-E3是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，适用于对效率和尺寸有严格要求的电源管理电路，特别是直流/直流转换器和便携式电子设备。其出色的电气特性，加上紧凑的封装和环保设计，使其成为许多现代电子产品的理想选择。